沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋(qiao)產品是由4顆肖特基(ji)硅二極(ji)管橋(qiao)式連(lian)接,有(you)四(si)個引出腳。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點(dian)是全(quan)橋直流(liu)輸(shu)出端的“正極”,兩只(zhi)二極管正極的連(lian)接點是全(quan)橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流橋產品是(shi)由(you)四只低壓降整流硅芯片作橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二(er)極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的連接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出(chu)端(duan)的“正極”,兩只二極管正極的連接(jie)點(dian)是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑(su)封而成(cheng)。LOW VF即(ji)是正向(xiang)壓降極(ji)低(di)的整流橋(qiao)。
逆變橋是(shi)(shi)由四顆快恢復二極(ji)(ji)管整合一起,即將(jiang)四顆芯片封裝(zhuang)到一個支架(jia)上作(zuo)橋式(shi)連(lian)接,有(you)四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接點(dian)是(shi)(shi)直流輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)(de)“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接點(dian)是(shi)(shi)直流輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)(de)“負極(ji)(ji)”,另(ling)兩個引腳是(shi)(shi)交流輸(shu)入端(duan)(duan),外用絕緣塑料(liao)封裝(zhuang)而成。
一種(zhong)集(ji)成采(cai)樣(yang)功能的(de)整(zheng)流橋,即通(tong)過采(cai)集(ji)電(dian)路中的(de)輸入電(dian)流,實現功率分(fen)配、電(dian)路保護。
開(kai)關(guan)橋(qiao)是由四只高速開關二極(ji)管作橋式連接(jie),有(you)四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點(dian)是全橋直流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點(dian)是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃(wo)爾德高壓肖(xiao)特基二極管具有(you)較低的VF值和極(ji)低的(de)反向漏電(dian)流Ir,體現(xian)出良好的(de)低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋(gai),能更好的(de)滿足高壓輸出電源的高效率(lv)、高可(ke)靠(kao)性的需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特(te)基(ji)二極(ji)管采用先進(jin)的Trench工藝(yi),具有較低(di)的VF值和極(ji)低(di)的高溫漏電(dian)流,能更好的(de)滿足電源產品的(de)高效率,高可靠性的(de)需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管(guan)具有極低的反向恢復時(shi)間(jian)Trr和極低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的開關速度,應用于硬開關條件下的PFC電路和(he)高壓高頻電源的次級整(zheng)流(liu)電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)(ju)有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具(ju)(ju)有(you)開關速(su)度快等特點,能滿(man)足產(chan)品溫升和(he)效率的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和(he)Ciss 并(bing)具有強的EAS性能(neng)(neng)等(deng)特點,能(neng)(neng)滿足產品(pin)高效和可靠(kao)的要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度快并具(ju)有強的EAS性能和抗短路性能等特點,能滿足產品高(gao)效和可靠的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多層(ceng)外延工藝,具有(you)低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特(te)點,使電源更容易實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收二極管(guan)具有較長(chang)的存儲時間和較(jiao)小的Irr,同時具有較長(chang)的(de)平緩反向恢(hui)復(fu)(fu)特性,能平緩恢(hui)復(fu)(fu)電(dian)流,應用于(yu)電(dian)源(yuan)的(de)RCD吸(xi)收電(dian)路,從而(er)使電(dian)源(yuan)產品達到(dao)更好(hao)的(de)EMI特性,滿(man)足電(dian)源(yuan)產品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性的(de)需求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開通(tong)時間/關斷時(shi)間)較軟的(de)恢復特性,大幅(fu)減(jian)少(shao)諧波振(zhen)蕩的(de)發(fa)生(sheng),從而減(jian)少(shao)或者減(jian)小(xiao)橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件的使用(yong)或者(zhe)使用(yong)規(gui)格,例如X電容,共(gong)模(mo)電感,差模(mo)電感等。