沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基(ji)整流橋產品是由4顆肖特基(ji)硅(gui)二極管橋(qiao)式連接,有(you)四(si)個引(yin)出腳。兩只二極管負(fu)極的連(lian)接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕(jue)緣朔(shuo)料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋(qiao)產(chan)品是由(you)四只低(di)壓降整流硅芯(xin)片作(zuo)橋式(shi)連接,有(you)四個引(yin)出腳(jiao)。兩只(zhi)二極管負(fu)極的連接(jie)點是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極低的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋(qiao)是(shi)由四顆(ke)快恢復二極(ji)(ji)(ji)管(guan)整合一起(qi),即(ji)將四顆(ke)芯(xin)片封(feng)裝(zhuang)到(dao)一個(ge)支架上作橋(qiao)式連(lian)(lian)接(jie),有四個(ge)引(yin)出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)(lian)接(jie)點是(shi)直(zhi)流輸出(chu)端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)(lian)接(jie)點是(shi)直(zhi)流輸出(chu)端(duan)的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引(yin)腳(jiao)是(shi)交(jiao)流輸入端(duan),外用絕緣塑料封(feng)裝(zhuang)而成。
一種集(ji)成采(cai)樣功能(neng)的整(zheng)流(liu)橋,即通過采(cai)集(ji)電(dian)(dian)路(lu)中的輸入電(dian)(dian)流(liu),實現功率分(fen)配(pei)、電(dian)(dian)路(lu)保護。
開關橋(qiao)是由四只高速(su)開(kai)關(guan)二(er)極管作橋(qiao)式連接,有四個引(yin)出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高壓肖(xiao)特基二極管具有較低(di)的VF值和極低的(de)(de)反向(xiang)漏(lou)電(dian)流Ir,體現出良好的(de)(de)低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的(de)(de)滿足高壓輸出電源(yuan)的高效率、高可靠(kao)性的需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二極(ji)管(guan)采用先進的Trench工藝,具有較低的VF值和極(ji)低的高溫漏電流,能更(geng)好的滿足電(dian)源產品的高效率,高可(ke)靠(kao)性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管具有極低(di)的(de)反向恢復時間Trr和極低的反向恢復電荷Qrr,并具(ju)有超快的開(kai)關(guan)速度,應用于硬開(kai)關(guan)條件下的PFC電(dian)(dian)路和高壓高頻電(dian)(dian)源(yuan)的(de)次級整流電(dian)(dian)路。
沃爾(er)德(de)SGT MOS 具(ju)有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速(su)度(du)快等(deng)特點,能(neng)滿足(zu)產品(pin)溫升和效率的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特(te)點,能滿足產品高效和可靠的要(yao)求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有較(jiao)低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度快并(bing)具有(you)強的EAS性(xing)(xing)能(neng)和抗短(duan)路性(xing)(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效(xiao)和可靠(kao)的(de)要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多(duo)層外(wai)延工藝,具(ju)有低RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易(yi)驅動、開(kai)關(guan)速度快(kuai)的特點,使電(dian)源更容易(yi)實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾(er)德(de)吸(xi)收二極管具有較長的(de)存儲時間和較(jiao)小的(de)Irr,同(tong)時具有較長的(de)平(ping)緩(huan)反向恢復特性(xing),能平(ping)緩(huan)恢復電(dian)流(liu),應用于電(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)路(lu),從而使(shi)電(dian)源(yuan)產(chan)品達到更(geng)好(hao)的(de)EMI特性(xing),滿足(zu)電(dian)源(yuan)產(chan)品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性(xing)的(de)需求(qiu)。
通過優(you)化二極(ji)管Ta/Tb(開通(tong)時間(jian)/關斷(duan)時(shi)間)較軟的(de)恢復特性,大幅減(jian)(jian)少(shao)諧波振蕩的(de)發生,從而減(jian)(jian)少(shao)或者減(jian)(jian)小橋堆周邊(bian)EMI抑制器件的(de)使用或者(zhe)使用規(gui)格,例如X電(dian)容,共模(mo)電(dian)感(gan),差模(mo)電(dian)感(gan)等。