沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋(qiao)產品是由4顆(ke)肖特基硅(gui)二極管橋式連接,有(you)四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二極管負極的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的(de)“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負極”,外用絕緣朔料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋(qiao)產(chan)品是由(you)四(si)只低(di)壓(ya)降整流硅芯片作(zuo)橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二(er)極管負極的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的連接點(dian)是全(quan)橋直流輸出端的“負極”,外(wai)用(yong)絕緣塑封(feng)而成(cheng)。LOW VF即是(shi)正向壓(ya)降極(ji)低的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋是(shi)由(you)四(si)顆快恢復二極(ji)(ji)(ji)管整合一(yi)起(qi),即將四(si)顆芯(xin)片封裝(zhuang)到(dao)一(yi)個(ge)支架上(shang)作橋式連(lian)接,有四(si)個(ge)引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是(shi)直(zhi)流(liu)(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是(shi)直(zhi)流(liu)(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引(yin)腳是(shi)交流(liu)(liu)輸(shu)入端(duan)(duan),外用(yong)絕緣(yuan)塑(su)料封裝(zhuang)而成。
一種集(ji)成采(cai)樣功能的整(zheng)流橋,即通過采(cai)集(ji)電(dian)路中的輸入(ru)電(dian)流,實現功率分配、電(dian)路保護。
開關橋是由四只高速(su)開關二極管作橋式連接,有四個(ge)引出腳(jiao)。兩只二(er)極管負極的(de)連接點是全橋(qiao)直流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成(cheng)。
沃爾德高壓肖(xiao)特基二(er)極(ji)管具有較低(di)的VF值和極(ji)低(di)的反向漏(lou)電流(liu)Ir,體現出良好的低(di)溫升特(te)性(xing)。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到(dao)40A全覆蓋,能更好的滿足(zu)高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極管(guan)采用先進的Trench工藝,具(ju)有較低的VF值(zhi)和極低的高溫(wen)漏(lou)電流,能更好(hao)的(de)滿(man)足電源產品的(de)高效率,高可(ke)靠性(xing)的(de)需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極(ji)管(guan)具有極(ji)低的(de)反向恢復(fu)時間(jian)Trr和極低的反(fan)向(xiang)恢(hui)復電荷Qrr,并(bing)具有超快(kuai)的(de)開(kai)(kai)關速度,應(ying)用于硬開(kai)(kai)關條件下的(de)PFC電路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻電源的(de)次級整流電路(lu)。
抗(kang)靜(jing)電器(qi)件(jian),ESD。針(zhen)對(dui)主流競(jing)品,我(wo)司(si)均有可(ke)替代產品,ESD類我(wo)司(si)接(jie)受定制物料。
沃(wo)爾德SGT MOS 具(ju)有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具(ju)有開關(guan)速(su)度快(kuai)等特(te)點(dian),能滿足產(chan)品(pin)溫升和效(xiao)率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能等特點,能滿(man)足產品(pin)高效和(he)可靠的要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快并具有強(qiang)的EAS性能(neng)和(he)抗短路性能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產品高效和(he)可(ke)靠的(de)要求。
沃(wo)爾(er)德SJ(超結(jie))MOS采用多層外延(yan)工藝,具(ju)有低(di)RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開關速度快(kuai)的特點,使電(dian)源更容易實現高效率,高可靠性。
沃爾德碳化硅二(er)極(ji)(ji)管具極(ji)(ji)小的反(fan)向恢(hui)復時(shi)間(jian)、高浪(lang)涌電流、高效可靠的特性,封裝主要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化硅(gui)mos管具有低RDS(on)高開(kai)關速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃(wo)爾德吸(xi)收二極(ji)管具有較長的(de)存儲時間和較(jiao)小的(de)Irr,同時具有較長的(de)平緩(huan)反(fan)向恢(hui)復特性(xing),能(neng)平緩(huan)恢(hui)復電(dian)(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)RCD吸(xi)收電(dian)(dian)(dian)路(lu),從而使電(dian)(dian)(dian)源(yuan)產品(pin)達到更好的(de)EMI特性(xing),滿足電(dian)(dian)(dian)源(yuan)產品(pin)高(gao)(gao)效率、高(gao)(gao)可靠性(xing)的(de)需求(qiu)。
通過優化二極管Ta/Tb(開(kai)通(tong)時(shi)間/關斷時間)較軟的(de)恢復(fu)特(te)性(xing),大幅減(jian)(jian)少(shao)(shao)諧(xie)波振蕩(dang)的(de)發生,從而減(jian)(jian)少(shao)(shao)或者(zhe)減(jian)(jian)小橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件的使用或(huo)者使用規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等。