沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋產品是由4顆肖(xiao)特基(ji)硅(gui)二極管(guan)橋式(shi)連接,有(you)四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩只二(er)極管負極的連接點(dian)是全橋直流輸(shu)出(chu)端的“正極”,兩只(zhi)二極管正極的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“負極”,外(wai)用絕緣朔料封(feng)裝而(er)成。
LOW VF整流(liu)橋產(chan)品是由四只低壓(ya)降整流硅芯片(pian)作橋式連接,有四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩只二極管負(fu)極的(de)連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的(de)“正極”,兩(liang)只(zhi)二(er)極管正極的連(lian)接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端的“負極”,外用(yong)絕緣塑封而(er)成。LOW VF即是(shi)正向壓降極低的整(zheng)流(liu)橋。
逆(ni)變(bian)橋是由四顆(ke)快恢復二(er)極(ji)管(guan)整合一起,即將四顆(ke)芯片封裝(zhuang)到(dao)一個支架上作橋式連(lian)接(jie)(jie),有四個引(yin)出腳。兩(liang)(liang)只二(er)極(ji)管(guan)負(fu)極(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)(jie)點(dian)是直流輸(shu)出端(duan)的(de)(de)“正極(ji)”,兩(liang)(liang)只二(er)極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)(jie)點(dian)是直流輸(shu)出端(duan)的(de)(de)“負(fu)極(ji)”,另兩(liang)(liang)個引(yin)腳是交(jiao)流輸(shu)入端(duan),外用絕緣塑料封裝(zhuang)而成。
一種(zhong)集成采樣功(gong)(gong)能的整流橋,即通過采集電路中的輸入電流,實現功(gong)(gong)率分配、電路保護。
開關橋是由四只高速開關二(er)極管作橋式連(lian)接,有四(si)個(ge)引(yin)出腳。兩(liang)只二極管負極的(de)連接點是全橋(qiao)直流(liu)輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是全橋直流輸(shu)出端的(de)“負(fu)極(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。
沃爾德高(gao)壓肖特(te)基二極管具(ju)有較低的(de)VF值和極(ji)低的反向漏電(dian)(dian)流(liu)Ir,體(ti)現出(chu)良好的低溫升特性(xing)。VRRM高達(da)350V,電(dian)(dian)流(liu)從5A到40A全(quan)覆蓋(gai),能更(geng)好的滿足高壓輸出電源(yuan)的(de)高效率、高可(ke)靠(kao)性(xing)的(de)需(xu)求。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二極(ji)管采用先進(jin)的Trench工(gong)藝,具有較低的VF值和極(ji)低的高溫漏電流,能(neng)更好的滿足電源產品的高(gao)效(xiao)率(lv),高(gao)可靠性的需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復二極管具(ju)有極低的反(fan)向(xiang)恢(hui)復時間Trr和(he)極低(di)的反向恢復電(dian)荷(he)Qrr,并具有超快的開(kai)關(guan)速度(du),應用于(yu)硬開(kai)關(guan)條件下的PFC電(dian)路和(he)高壓高頻電(dian)源的次(ci)級整流(liu)電(dian)路。
沃(wo)爾(er)德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并(bing)具有開(kai)關速度快等特點,能滿足產品溫升(sheng)和(he)效率的要(yao)求。
沃爾德Planar MOS 具(ju)有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有(you)強(qiang)的(de)EAS性能等特點,能滿足產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有(you)較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并(bing)具有(you)強的EAS性(xing)能和(he)抗短路性(xing)能等特點(dian),能滿足產品高效(xiao)和(he)可(ke)靠的(de)要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多(duo)層(ceng)外延工藝,具(ju)有(you)低(di)RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易驅動、開(kai)關速度快(kuai)的特點(dian),使電源(yuan)更容易實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德(de)碳(tan)化硅二極(ji)(ji)管具極(ji)(ji)小的反(fan)向恢(hui)復時(shi)間、高(gao)浪涌電流(liu)、高(gao)效(xiao)可靠的特(te)性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德碳化硅mos管(guan)具有低RDS(on)高開(kai)關速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸收二極管具有較長(chang)的存儲(chu)時間和較小(xiao)的Irr,同時具有較長的平(ping)緩反(fan)向恢(hui)(hui)復特(te)性(xing),能平(ping)緩恢(hui)(hui)復電(dian)(dian)流(liu),應用于電(dian)(dian)源(yuan)的RCD吸(xi)收電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源(yuan)產品達(da)到(dao)更好的EMI特(te)性(xing),滿足電(dian)(dian)源(yuan)產品高效率、高可靠性(xing)的需求(qiu)。
通(tong)過優化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關(guan)斷時間)較軟(ruan)的恢復特(te)性,大幅減(jian)少諧(xie)波(bo)振(zhen)蕩的發生,從而(er)減(jian)少或者減(jian)小橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件(jian)的使(shi)用或者使(shi)用規格,例如X電(dian)容,共(gong)模(mo)電(dian)感(gan),差模(mo)電(dian)感(gan)等。