沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特(te)基整流(liu)橋產品是由(you)4顆肖特基(ji)硅二極(ji)管橋式(shi)連接,有四(si)個引出腳。兩(liang)只二極(ji)管(guan)負(fu)極(ji)的連接點(dian)是全橋直流(liu)輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點(dian)是全橋直(zhi)流(liu)輸(shu)出(chu)端的(de)“負極(ji)”,外用絕緣朔料(liao)封(feng)裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋產品是(shi)由四(si)只低壓降(jiang)整流(liu)硅芯片作橋式連接,有四(si)個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負極的連接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的“負(fu)極(ji)”,外(wai)用絕(jue)緣塑(su)封而成。LOW VF即是正向壓降(jiang)極(ji)低(di)的整流(liu)橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四(si)(si)顆(ke)快(kuai)恢(hui)復(fu)二極管整合一(yi)起,即將四(si)(si)顆(ke)芯片(pian)封(feng)裝到一(yi)個支架(jia)上作(zuo)橋(qiao)式連(lian)(lian)接(jie),有四(si)(si)個引出腳(jiao)。兩(liang)只二極管負極的連(lian)(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直流輸出端的“正極”,兩(liang)只二極管正極的連(lian)(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直流輸出端的“負極”,另兩(liang)個引腳(jiao)是(shi)交流輸入端,外用絕緣塑料封(feng)裝而成。
一(yi)種集(ji)成(cheng)采(cai)樣功(gong)能的(de)整流(liu)橋,即通過采(cai)集(ji)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)輸入(ru)電(dian)流(liu),實現功(gong)率分(fen)配、電(dian)路(lu)保(bao)護。
開關(guan)橋是由四只高速開關二極管作(zuo)橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩(liang)只二極管負極的連接(jie)點是全(quan)橋直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連(lian)接點(dian)是全橋(qiao)直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德(de)高(gao)壓肖特(te)基二(er)極管具有較低的VF值和極低的(de)反向(xiang)漏電流Ir,體現出良好(hao)的(de)低溫升特性(xing)。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好(hao)的(de)滿足(zu)高(gao)壓(ya)輸出(chu)電(dian)源的(de)高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性(xing)的(de)需(xu)求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較(jiao)低的(de)VF值(zhi)和極低的(de)高溫(wen)漏電流,能更好(hao)的滿(man)足電源產品的高效率,高可靠性的需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有(you)極(ji)低的反(fan)向恢復時間Trr和極低(di)的反向恢復電荷Qrr,并具有超(chao)快的開關速度(du),應用(yong)于硬(ying)開關條(tiao)件下(xia)的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有極(ji)低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具有開關速度(du)快等特點,能滿足產(chan)品溫升和效率的要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低(di)的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點(dian),能滿足產品高(gao)效和可(ke)靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能和(he)抗短路性能等(deng)特點,能滿足產品高效和(he)可靠(kao)的要求。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采用多層外(wai)延工(gong)藝,具有(you)低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅動、開(kai)關速度(du)快(kuai)的特點,使電源更容易(yi)實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾德吸收二極(ji)管具有(you)較長的存儲時間和較(jiao)小的Irr,同(tong)時具有較長的(de)(de)平(ping)緩(huan)(huan)反向恢復(fu)特(te)性(xing),能平(ping)緩(huan)(huan)恢復(fu)電(dian)流,應(ying)用于電(dian)源的(de)(de)RCD吸收電(dian)路,從而使(shi)電(dian)源產品達到更好的(de)(de)EMI特(te)性(xing),滿足電(dian)源產品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性(xing)的(de)(de)需求。
通(tong)過優(you)化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較(jiao)軟的恢復(fu)特性(xing),大(da)幅減少諧波振蕩的發生(sheng),從(cong)而減少或者減小橋堆(dui)周邊EMI抑制(zhi)器件的使用(yong)或者使用(yong)規格,例(li)如X電容,共模電感,差(cha)模電感等。