沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流(liu)橋產品是由4顆肖(xiao)特基硅(gui)二極管橋式連接,有四(si)個(ge)引出腳。兩只二極管負極的(de)連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出端的(de)“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)(ji)的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負(fu)極(ji)(ji)(ji)”,外用絕緣朔(shuo)料封(feng)裝而(er)成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是由四只低壓(ya)降整流硅芯片作橋式連接,有四(si)個引出腳。兩(liang)只二(er)極管負極的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而成(cheng)。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆(ni)變橋(qiao)是(shi)由四(si)顆快恢復二(er)極管整合一起(qi),即將四(si)顆芯片封裝(zhuang)到一個(ge)支(zhi)架上作(zuo)橋(qiao)式(shi)連接,有四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩只(zhi)二(er)極管負極的(de)連接點(dian)是(shi)直流輸出(chu)端(duan)(duan)的(de)“正極”,兩只(zhi)二(er)極管正極的(de)連接點(dian)是(shi)直流輸出(chu)端(duan)(duan)的(de)“負極”,另兩個(ge)引腳是(shi)交流輸入端(duan)(duan),外(wai)用絕緣塑料封裝(zhuang)而成。
一種集成采(cai)樣功能的整流(liu)橋,即通過(guo)采(cai)集電(dian)路中的輸入電(dian)流(liu),實(shi)現功率(lv)分配、電(dian)路保護。
開關橋(qiao)是由四(si)只高速(su)開關(guan)二(er)極(ji)管作橋式(shi)連(lian)接,有(you)四個(ge)引出腳。兩只二極管負極的連接(jie)點是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點(dian)是(shi)全橋直流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣塑封(feng)而成。
沃爾(er)德高壓肖特基二(er)極(ji)管具有較(jiao)低的VF值和極低的反向漏電(dian)流Ir,體(ti)現出良好(hao)(hao)的低溫升特(te)性(xing)。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)(hao)的滿足高壓輸出電源的(de)高效率(lv)、高可靠性(xing)的(de)需求。
沃爾(er)德(de) LOW VF肖特(te)基(ji)二極管采用(yong)先進(jin)的(de)(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)(de)VF值和極低(di)的(de)(de)高溫漏電流(liu),能更好的滿(man)足電源(yuan)產品的高效(xiao)率,高可靠性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢復二(er)極管(guan)具有極低(di)的反向恢復時間Trr和(he)極低的反向(xiang)恢(hui)復電(dian)荷Qrr,并(bing)具有超(chao)快的開關(guan)速度(du),應用于硬開關(guan)條件下的PFC電(dian)(dian)路和高壓高頻電(dian)(dian)源的次級整流電(dian)(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具有極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具有開(kai)關速度(du)快等特(te)點,能滿足產品(pin)溫升(sheng)和效率的(de)要(yao)求。
沃爾(er)德(de)Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能(neng)(neng)等特點,能(neng)(neng)滿足產品高效和可靠的要(yao)求(qiu)。
沃(wo)爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快(kuai)并具有強的EAS性能(neng)和(he)抗(kang)短(duan)路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產(chan)品(pin)高效和(he)可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多層外延(yan)工藝(yi),具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速度快的(de)特點,使電源(yuan)更容易實現高效率(lv),高可靠性。
沃爾(er)德吸收二極管具(ju)有較長的(de)存(cun)儲時間和(he)較(jiao)小的(de)Irr,同時具有(you)較長(chang)的(de)平緩反向恢復特(te)(te)性,能(neng)平緩恢復電(dian)(dian)流,應(ying)用于電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)(dian)路(lu),從而使(shi)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)產品達(da)到更好(hao)的(de)EMI特(te)(te)性,滿足(zu)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)產品高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠性的(de)需求。
通(tong)過優化(hua)二極(ji)管(guan)Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷時間)較軟的(de)恢復特性(xing),大幅減少(shao)諧波振(zhen)蕩的(de)發生(sheng),從而減少(shao)或者減小橋堆周邊EMI抑(yi)制器件(jian)的使(shi)用或者使(shi)用規格(ge),例如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感,差模電(dian)感等(deng)。