沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋產(chan)品是(shi)由4顆肖特基硅二極管橋式連接(jie),有(you)四個引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩(liang)只二極管正(zheng)極的(de)連接點是全橋直流輸(shu)出端的(de)“負(fu)極”,外用絕緣朔料封裝而(er)成。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋(qiao)產品是由四(si)只低(di)壓降整流硅芯片(pian)作(zuo)橋式連接,有(you)四個(ge)引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點是全橋直流輸(shu)出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向(xiang)壓降極低的整流橋。
逆變橋是(shi)由(you)四(si)顆快(kuai)恢復二極(ji)管整合一起,即將四(si)顆芯(xin)片封裝到一個支架上(shang)作橋式連(lian)(lian)接(jie)(jie),有(you)四(si)個引出腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連(lian)(lian)接(jie)(jie)點是(shi)直(zhi)流(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的(de)連(lian)(lian)接(jie)(jie)點是(shi)直(zhi)流(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)”,另兩(liang)個引腳(jiao)是(shi)交流(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣塑(su)料封裝而成。
一(yi)種集(ji)成采(cai)樣功(gong)能的整流(liu)橋,即通過(guo)采(cai)集(ji)電路中的輸入電流(liu),實現功(gong)率分配(pei)、電路保護。
開關橋(qiao)是由(you)四只(zhi)高速(su)開關二極(ji)管(guan)作(zuo)橋(qiao)式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二極管負極的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)(de)連接點是全(quan)橋直流輸(shu)出端的(de)(de)“負(fu)極(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。
沃爾德高壓肖(xiao)特基二極管具有較低的VF值和極低的反向(xiang)漏電流(liu)Ir,體現出良(liang)好(hao)的低溫(wen)升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好(hao)的滿(man)足高(gao)壓輸出(chu)電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二(er)極(ji)管采用先(xian)進的Trench工藝,具(ju)有較低的VF值和(he)極(ji)低的高溫漏電流,能更(geng)好的(de)滿足電源產品的(de)高效率,高可靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復二極管具有極低的(de)反向恢復時間Trr和極低的反向恢復(fu)電荷Qrr,并具有超快(kuai)的開關速度,應用于(yu)硬開關條件下的PFC電路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻電源的次級整流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度快等特點,能滿(man)足產品溫升和效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具(ju)有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿足產品高(gao)效和可靠的要(yao)求(qiu)。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強(qiang)的EAS性能和(he)抗短路(lu)性能等特點(dian),能滿足產品高(gao)效(xiao)和(he)可靠的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采(cai)用(yong)多層外(wai)延工(gong)藝(yi),具(ju)有(you)低(di)RDS(on)、結(jie)電容(rong)小、Qg 小,易驅動(dong)、開關速度(du)快的特(te)點,使電源更容(rong)易實現(xian)高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾(er)德碳化硅二極管具(ju)極小的(de)反向恢復時間、高(gao)浪涌電(dian)流、高(gao)效可靠的(de)特性,封(feng)裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化(hua)硅mos管具有低RDS(on)高開(kai)關速(su)度,高效(xiao)可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收(shou)二極管具有較長的(de)存儲時間(jian)和較(jiao)小的(de)Irr,同時具有較長的平緩(huan)反向恢復(fu)特(te)性(xing),能(neng)平緩(huan)恢復(fu)電(dian)流(liu),應用于(yu)電(dian)源的RCD吸收電(dian)路,從(cong)而使電(dian)源產品(pin)達(da)到更(geng)好的EMI特(te)性(xing),滿足電(dian)源產品(pin)高效率(lv)、高可靠(kao)性(xing)的需(xu)求(qiu)。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷時(shi)間)較軟的恢(hui)復特性,大幅減(jian)(jian)少(shao)諧波振蕩的發生,從(cong)而(er)減(jian)(jian)少(shao)或者減(jian)(jian)小(xiao)橋堆周邊EMI抑(yi)制器件的(de)使用(yong)(yong)或者使用(yong)(yong)規格,例如X電(dian)容,共模(mo)(mo)電(dian)感,差模(mo)(mo)電(dian)感等。