沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品(pin)是由4顆(ke)肖特基硅(gui)二極管(guan)橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)(de)連接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的(de)(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)(de)連接點是全(quan)橋(qiao)直流輸出端的(de)(de)“負極(ji)”,外用絕緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四(si)只(zhi)低壓降整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋(qiao)直流輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即(ji)是(shi)正(zheng)向壓降極低的整流橋(qiao)。
逆變橋是(shi)由四(si)顆(ke)快恢復二極管(guan)(guan)整合一起,即將(jiang)四(si)顆(ke)芯片封裝到一個(ge)支架上作橋式連(lian)接(jie)(jie),有(you)四(si)個(ge)引出腳。兩只(zhi)二極管(guan)(guan)負(fu)極的連(lian)接(jie)(jie)點是(shi)直(zhi)流(liu)輸出端的“正極”,兩只(zhi)二極管(guan)(guan)正極的連(lian)接(jie)(jie)點是(shi)直(zhi)流(liu)輸出端的“負(fu)極”,另兩個(ge)引腳是(shi)交流(liu)輸入端,外用(yong)絕(jue)緣塑料(liao)封裝而成。
一種集成采樣功(gong)能的(de)整(zheng)流橋,即(ji)通過采集電路(lu)中的(de)輸入電流,實(shi)現(xian)功(gong)率(lv)分配、電路(lu)保護。
開關橋是由四只高速開關(guan)二極管(guan)作(zuo)橋式(shi)連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極管(guan)負極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的“正極”,兩只二極管正極的(de)連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣(yuan)塑封(feng)而成。
沃爾(er)德高壓肖特(te)基(ji)二極管具(ju)有較(jiao)低的(de)VF值和極低(di)的反向(xiang)漏電流(liu)Ir,體(ti)現出良(liang)好(hao)的低(di)溫(wen)升特(te)性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到(dao)40A全覆蓋,能更好(hao)的滿足(zu)高壓輸(shu)出電源的高效率(lv)、高可靠性的需求。
沃爾(er)德 LOW VF肖特基(ji)二(er)極(ji)管采(cai)用先進的Trench工藝,具有較低的VF值和(he)極(ji)低的高(gao)溫(wen)漏電流,能更好的滿足電源產品的高(gao)效(xiao)率(lv),高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢復(fu)二(er)極管(guan)具有極低(di)的反向恢復(fu)時間Trr和極低的反向恢復電(dian)荷Qrr,并具(ju)有超(chao)快的(de)開關速度,應(ying)用于硬開關條件(jian)下的(de)PFC電路和高(gao)壓(ya)高(gao)頻電源的次級整流(liu)電路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有(you)(you)極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和(he)Ciss ,并具有(you)(you)開關速度快等(deng)特點,能滿足產(chan)品溫升和(he)效(xiao)率的(de)要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具(ju)有低的(de)RDs(on)和Ciss 并(bing)具(ju)有強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和(he)可靠(kao)的要求(qiu)。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有(you)較(jiao)低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的(de)EAS性能和抗短路性能等特(te)點,能滿足產品高(gao)效和可靠的(de)要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用(yong)多(duo)層外延工藝,具有(you)低(di)RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速(su)度快的特點,使電源更容易實現高效(xiao)率(lv),高可(ke)靠(kao)性。
沃爾德碳(tan)化(hua)硅二極(ji)管具極(ji)小(xiao)的(de)反向恢復時間、高浪(lang)涌(yong)電流(liu)、高效可靠的(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具有(you)低RDS(on)高(gao)開關速(su)度,高(gao)效可(ke)靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二(er)極管具有較長的(de)存儲時間和較小(xiao)的(de)Irr,同時具有較長的平(ping)緩(huan)反向(xiang)恢復(fu)(fu)特性,能(neng)平(ping)緩(huan)恢復(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)流,應(ying)用于電(dian)(dian)(dian)源(yuan)的RCD吸收電(dian)(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)(dian)源(yuan)產品達到更好的EMI特性,滿足電(dian)(dian)(dian)源(yuan)產品高效率(lv)、高可靠(kao)性的需求。
通過優化二極管(guan)Ta/Tb(開通時間(jian)/關(guan)斷時間)較軟的(de)恢(hui)復(fu)特性,大幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的(de)發(fa)生,從而減(jian)少(shao)或者(zhe)減(jian)小(xiao)橋堆周邊EMI抑制器件(jian)的使用或者使用規格,例如X電(dian)容,共模(mo)電(dian)感,差模(mo)電(dian)感等。