沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整(zheng)流橋產品(pin)是由4顆肖特基硅二極管橋式連接,有四個(ge)引(yin)出腳。兩只二極管負極的連接點(dian)是全(quan)橋直流(liu)輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣朔(shuo)料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整流硅(gui)芯片作橋式(shi)連接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二極管負(fu)極的(de)連接(jie)點是(shi)全橋直流輸(shu)出(chu)端的(de)“正極”,兩只二極管(guan)正極的(de)連接點(dian)是全橋直流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣塑封(feng)而成(cheng)。LOW VF即是正(zheng)向壓降極(ji)低的整流(liu)橋。
逆變橋是(shi)(shi)由四顆快恢(hui)復二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)整合一(yi)起,即將(jiang)四顆芯片(pian)封裝(zhuang)到一(yi)個支(zhi)架上作橋式連接(jie),有四個引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)負(fu)極(ji)(ji)(ji)的連接(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)輸出(chu)端的“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的連接(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)輸出(chu)端的“負(fu)極(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個引腳(jiao)是(shi)(shi)交流(liu)輸入端,外用絕緣塑料封裝(zhuang)而(er)成。
一種(zhong)集(ji)成(cheng)采(cai)樣功能的(de)整(zheng)流橋(qiao),即通(tong)過采(cai)集(ji)電路中的(de)輸入電流,實現功率分配、電路保(bao)護。
開關橋是由四只高速開關二(er)極管作橋式連接,有(you)四個(ge)引出(chu)腳。兩只二(er)極管負極的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全(quan)橋(qiao)直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封而成(cheng)。
沃爾德高(gao)壓肖(xiao)特基二(er)極管具有(you)較低的(de)VF值和極低的反向漏電流(liu)Ir,體現出良好(hao)的低溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋,能更(geng)好(hao)的滿足高(gao)壓輸出電源(yuan)的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極管采(cai)用先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和極低的(de)高溫漏電流,能更好的滿足電源(yuan)產品的高效率,高可靠性的需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢復二極管具有極低的反(fan)向恢復時間Trr和極低的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有超(chao)快(kuai)的(de)開關速度,應用于硬開關條件下的(de)PFC電(dian)(dian)(dian)路和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)(dian)(dian)源的次級整流電(dian)(dian)(dian)路。
沃(wo)爾德(de)SGT MOS 具有極(ji)低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開關速度快等特點(dian),能滿足產品溫升和效(xiao)率(lv)的要求。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低(di)的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿足(zu)產品高效和可靠(kao)的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速(su)度快并具有強的EAS性(xing)能和(he)抗短路性(xing)能等特點,能滿足(zu)產(chan)品(pin)高(gao)效和(he)可(ke)靠的(de)要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用多層(ceng)外(wai)延工(gong)藝,具有(you)低RDS(on)、結電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅(qu)動(dong)、開關(guan)速度快(kuai)的特點,使(shi)電(dian)源更容易(yi)實(shi)現高(gao)效率(lv),高(gao)可靠(kao)性。
沃(wo)爾德碳化硅二極(ji)管(guan)具極(ji)小的(de)反向恢復(fu)時(shi)間、高浪涌(yong)電流(liu)、高效可靠的(de)特性,封(feng)裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾(er)德碳化硅mos管具有低RDS(on)高開關速度,高效(xiao)可靠(kao),封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管具有較長的存儲(chu)時間和(he)較小的Irr,同時具有較長的(de)平(ping)緩反向(xiang)恢復(fu)特性,能(neng)平(ping)緩恢復(fu)電流(liu),應用(yong)于(yu)電源(yuan)的(de)RCD吸收電路,從而使電源(yuan)產品達到更好的(de)EMI特性,滿足電源(yuan)產品高效率、高可靠性的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關斷時(shi)間)較軟的(de)(de)恢復特性,大(da)幅減(jian)(jian)少(shao)諧波振蕩的(de)(de)發生,從而減(jian)(jian)少(shao)或者(zhe)減(jian)(jian)小橋堆周邊EMI抑制器件(jian)的使(shi)用或者(zhe)使(shi)用規格,例如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感,差(cha)模電(dian)感等。