沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產品是由4顆肖特基硅二(er)極管橋(qiao)式連(lian)接,有四個引(yin)出腳。兩只二極管負極的連接點是全(quan)橋(qiao)直流輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣朔(shuo)料封(feng)裝而(er)成。
LOW VF整(zheng)流橋(qiao)產品是由四只(zhi)低壓降整(zheng)流硅芯片作橋式(shi)連(lian)接,有四(si)個引出腳。兩(liang)只二極管負(fu)極的連接(jie)點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連(lian)接點是全橋(qiao)直流(liu)輸出端的“負極”,外(wai)用絕(jue)緣(yuan)塑(su)封而成。LOW VF即(ji)是正向壓(ya)降(jiang)極低的整流橋。
逆變橋是(shi)由四顆快(kuai)恢復二極(ji)(ji)管(guan)整合一(yi)起,即(ji)將(jiang)四顆芯片封(feng)裝(zhuang)(zhuang)到一(yi)個(ge)支(zhi)架上(shang)作(zuo)橋式連接(jie),有四個(ge)引(yin)(yin)出腳。兩只二極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的連接(jie)點是(shi)直流輸出端(duan)的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接(jie)點是(shi)直流輸出端(duan)的“負極(ji)(ji)”,另(ling)兩個(ge)引(yin)(yin)腳是(shi)交(jiao)流輸入端(duan),外用(yong)絕(jue)緣(yuan)塑(su)料封(feng)裝(zhuang)(zhuang)而成。
一種集(ji)成(cheng)采(cai)樣功能的(de)整流(liu)橋,即通過采(cai)集(ji)電(dian)路(lu)中的(de)輸入電(dian)流(liu),實(shi)現功率分配、電(dian)路(lu)保護。
開關(guan)橋是由四只高速開關二極管作橋式連接,有四個引出(chu)腳(jiao)。兩只二(er)極管(guan)負極的連(lian)接點是全(quan)橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正極”,兩(liang)只二極管正極的連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出端的“負極”,外用絕(jue)緣塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特基(ji)二極管(guan)具有(you)較低的VF值和極低(di)的反(fan)向漏電流Ir,體現出(chu)良(liang)好的低(di)溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流從(cong)5A到40A全覆蓋,能更好的滿(man)足高(gao)(gao)壓輸出電源的高(gao)(gao)效率、高(gao)(gao)可靠(kao)性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采用先進(jin)的(de)Trench工藝,具有(you)較(jiao)低的(de)VF值和極(ji)低的(de)高溫漏電流(liu),能更(geng)好的滿足(zu)電源(yuan)產(chan)品的高效率,高可靠性的需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢復二極管具有(you)極低的(de)反向(xiang)恢復時間Trr和極低(di)的反向恢復電荷Qrr,并具有(you)超(chao)快的開(kai)關(guan)速度,應(ying)用于(yu)硬開(kai)關(guan)條件下的PFC電路(lu)和高壓(ya)高頻電源的次(ci)級整流(liu)電路(lu)。
沃(wo)爾德SGT MOS 具(ju)有極(ji)低(di)(di)的(de)(de)RDs(on) 、低(di)(di)的(de)(de)Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有開關速度快(kuai)等特點,能(neng)滿(man)足(zu)產(chan)品溫升和(he)效率的(de)(de)要求(qiu)。
沃爾德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能等(deng)特點,能滿足產(chan)品高效和可靠的(de)要(yao)求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能和(he)抗短路性能等特(te)點,能滿足產品高(gao)效和(he)可靠的要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用(yong)多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅(qu)動、開(kai)關速度快(kuai)的特點(dian),使電(dian)源(yuan)更容易實現高效率,高可靠性。
沃爾德吸收二極管具有較長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同(tong)時(shi)具有較(jiao)長的(de)(de)平(ping)緩反(fan)向恢(hui)復(fu)特性(xing)(xing),能平(ping)緩恢(hui)復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源的(de)(de)RCD吸收電(dian)路,從而使(shi)電(dian)源產(chan)品達(da)到更好的(de)(de)EMI特性(xing)(xing),滿足(zu)電(dian)源產(chan)品高效率、高可靠性(xing)(xing)的(de)(de)需求(qiu)。
通過優化二(er)極管(guan)Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較(jiao)軟的(de)恢復特性(xing),大幅減(jian)少諧波振蕩的(de)發生,從而減(jian)少或者減(jian)小橋堆周(zhou)邊EMI抑(yi)制器件的使用(yong)或(huo)者使用(yong)規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。