沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆肖(xiao)特基硅(gui)二極管(guan)橋(qiao)式連接,有四個引出腳。兩(liang)只(zhi)二極管(guan)負極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的“正(zheng)極”,兩(liang)只二極管正(zheng)極的連接點(dian)是全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“負極”,外用絕(jue)緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋產品(pin)是由四只低壓(ya)降整流(liu)硅(gui)芯片(pian)作橋(qiao)式連接(jie),有四(si)個引出腳(jiao)。兩(liang)只二極管負(fu)極的(de)連接(jie)點是全橋(qiao)直流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接點是(shi)全橋(qiao)直流(liu)輸出端的“負(fu)極”,外(wai)用絕緣(yuan)塑封(feng)而成。LOW VF即是正向(xiang)壓(ya)降(jiang)極低的整流橋。
逆(ni)變橋是由四顆(ke)快恢復二(er)極(ji)(ji)(ji)管整合一起,即將四顆(ke)芯片封裝到一個支(zhi)架上(shang)作橋式連接,有四個引(yin)出腳。兩只(zhi)二(er)極(ji)(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點是直流輸(shu)出端(duan)的(de)“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只(zhi)二(er)極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點是直流輸(shu)出端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)(ji)(ji)”,另兩個引(yin)腳是交(jiao)流輸(shu)入端(duan),外(wai)用絕緣塑(su)料封裝而成(cheng)。
一(yi)種集成采樣功能的整流橋,即通過(guo)采集電(dian)(dian)路中的輸入(ru)電(dian)(dian)流,實現功率分配、電(dian)(dian)路保護(hu)。
開關橋是由四(si)只高速開關二極管作橋(qiao)式連接,有四個引出(chu)腳。兩(liang)只二極管負極的(de)連接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成(cheng)。
沃(wo)爾(er)德高壓肖特基二(er)極管(guan)具有(you)較低的(de)VF值和極低(di)的(de)(de)反向漏電流Ir,體現出良好(hao)的(de)(de)低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全(quan)覆蓋,能更好(hao)的(de)(de)滿(man)足高壓(ya)輸出(chu)電源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二(er)極管采用先進的(de)(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)(de)VF值和極低(di)的(de)(de)高溫(wen)漏(lou)電流,能更好的滿(man)足電源產(chan)品的高效(xiao)率,高可靠(kao)性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢(hui)復二(er)極(ji)管具有極(ji)低(di)的反向恢(hui)復時間Trr和(he)極(ji)低的反(fan)向恢(hui)復(fu)電荷Qrr,并具有超快的開關(guan)速度,應用(yong)于硬開關(guan)條件下的PFC電(dian)路(lu)和高(gao)壓(ya)高(gao)頻電(dian)源(yuan)的次級整流電(dian)路(lu)。
沃(wo)爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極(ji)低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有(you)開(kai)關速度快等特點,能滿足(zu)產(chan)品溫升和(he)效率的要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能等特點,能滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有(you)較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并(bing)具有強的EAS性能和(he)抗短路性能等特點,能滿(man)足產品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多層外延工(gong)藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關速度快(kuai)的特(te)點,使電源更容易實現高效(xiao)率(lv),高可靠性。
沃爾德碳(tan)化硅二極管(guan)具極小(xiao)的(de)反向恢(hui)復時間、高浪涌電流(liu)、高效可靠的(de)特性,封(feng)裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾(er)德碳化硅mos管(guan)具有低RDS(on)高(gao)開關(guan)速度,高(gao)效可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管具有(you)較長的存(cun)儲時間和較小的Irr,同時具有較長的平(ping)緩反(fan)向(xiang)恢復(fu)特性(xing),能平(ping)緩恢復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)的RCD吸(xi)收電(dian)路(lu),從(cong)而使電(dian)源(yuan)產(chan)品達(da)到更好的EMI特性(xing),滿足(zu)電(dian)源(yuan)產(chan)品高效率(lv)、高可靠性(xing)的需(xu)求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷(duan)時間)較軟(ruan)的恢復(fu)特(te)性(xing),大(da)幅減少諧波振蕩的發生,從而(er)減少或者(zhe)減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用(yong)(yong)或者使用(yong)(yong)規格,例如(ru)X電容,共模電感,差(cha)模電感等。