沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基(ji)整流橋產品是由4顆肖特基硅二極管(guan)橋式連(lian)接,有四個引出腳。兩(liang)只二(er)極管負極的連(lian)接點(dian)是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)(ji)的連(lian)接(jie)點是全橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)(ji)”,外用絕緣朔(shuo)料封裝而成。
LOW VF整流(liu)橋(qiao)產品(pin)是由四只低壓降整流硅芯片作橋式連接,有四個引(yin)出(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連接點(dian)是全橋(qiao)直(zhi)流(liu)輸出(chu)端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而(er)成。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四顆快恢復二極管(guan)整合一起(qi),即將四顆芯片封裝到一個支(zhi)架(jia)上作橋(qiao)式連(lian)(lian)接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管(guan)負(fu)極的(de)連(lian)(lian)接點是(shi)直流輸(shu)(shu)出(chu)端的(de)“正(zheng)極”,兩只二極管(guan)正(zheng)極的(de)連(lian)(lian)接點是(shi)直流輸(shu)(shu)出(chu)端的(de)“負(fu)極”,另兩個引腳是(shi)交流輸(shu)(shu)入端,外(wai)用絕緣塑料封裝而(er)成(cheng)。
一種集成(cheng)采(cai)樣功(gong)能的(de)整流橋,即(ji)通過采(cai)集電路中(zhong)的(de)輸入電流,實現功(gong)率分配、電路保(bao)護。
開關橋(qiao)是由四只(zhi)高速開關二極管作橋(qiao)式連接,有四(si)個引出(chu)(chu)腳。兩只二(er)極管(guan)負極的(de)連接點是全橋直流輸出(chu)(chu)端的(de)“正(zheng)極”,兩只(zhi)二(er)極管正(zheng)極的連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的“負極”,外(wai)用絕緣塑封而(er)成。
沃爾(er)德(de)高(gao)壓(ya)肖特基二極(ji)管(guan)具(ju)有較低的VF值和極低(di)的反向漏電(dian)流Ir,體現出良好的低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿(man)足高壓輸出電源的高效率、高可靠(kao)性的需求。
沃爾德(de) LOW VF肖特基二極管(guan)采用先進(jin)的Trench工藝(yi),具有較低(di)的VF值和極低(di)的高(gao)溫(wen)漏電流,能更好(hao)的滿足電源產品的(de)高(gao)效率(lv),高(gao)可(ke)靠性的(de)需(xu)求。
沃爾德(de)LOW Trr超(chao)快恢(hui)復(fu)二極管具有極低的反向恢(hui)復(fu)時間Trr和(he)極低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的開(kai)關速度,應(ying)用于(yu)硬開(kai)關條件(jian)下的PFC電路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻電源(yuan)的次級整流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低(di)的(de)(de)RDs(on) 、低(di)的(de)(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度快(kuai)等特(te)點(dian),能滿足產品溫升和效率的(de)(de)要求(qiu)。
沃爾德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的(de)EAS性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產品高效和可靠(kao)的(de)要求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有較低(di)的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開(kai)關速(su)度(du)快并具有強的EAS性能(neng)(neng)和抗短路性能(neng)(neng)等特點,能(neng)(neng)滿足產品(pin)高效和可靠的要求。
沃爾(er)德(de)SJ(超結)MOS采(cai)用多層外(wai)延工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易驅(qu)動、開關速度快的特點(dian),使電源更容(rong)易實現(xian)高效率,高可(ke)靠性。
通過優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟(ruan)的恢(hui)復特(te)性,大(da)幅減少諧波(bo)振蕩(dang)的發(fa)生,從而減少或者減小(xiao)橋堆周邊EMI抑制器件的(de)使用(yong)或者使用(yong)規格,例如X電容,共(gong)模(mo)電感(gan),差模(mo)電感(gan)等。