沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆肖(xiao)特基硅二極(ji)管橋式連接,有四(si)個引出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“負(fu)極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四(si)只低(di)壓降整流硅芯(xin)片作橋式連接,有四個引出(chu)(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點(dian)是(shi)全(quan)橋直流輸出(chu)(chu)端的“正(zheng)(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)(zheng)極(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣(yuan)塑封而成。LOW VF即(ji)是正向壓降極低的(de)整流(liu)橋。
逆變(bian)橋是(shi)由四顆快恢復二極(ji)管(guan)整合一起(qi),即將四顆芯片封(feng)裝到一個支架(jia)上作(zuo)橋式連(lian)(lian)接,有四個引出腳(jiao)。兩(liang)(liang)只二極(ji)管(guan)負極(ji)的連(lian)(lian)接點(dian)是(shi)直(zhi)流(liu)輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩(liang)(liang)只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連(lian)(lian)接點(dian)是(shi)直(zhi)流(liu)輸出端(duan)的“負極(ji)”,另兩(liang)(liang)個引腳(jiao)是(shi)交流(liu)輸入端(duan),外用絕緣塑料封(feng)裝而成。
一種集(ji)成采樣(yang)功能的(de)整流橋,即通過采集(ji)電路(lu)(lu)中的(de)輸入電流,實現功率(lv)分配、電路(lu)(lu)保護。
開關橋(qiao)是由(you)四只高(gao)速開關二極(ji)管作橋(qiao)式(shi)連接,有四個(ge)引(yin)出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)全橋直流(liu)輸出端的(de)“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃(wo)爾德(de)高壓肖特基二(er)極(ji)管具有較(jiao)低(di)的VF值和極低(di)的(de)(de)反(fan)向(xiang)漏電流Ir,體現出良好(hao)的(de)(de)低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆(fu)蓋,能更(geng)好(hao)的(de)(de)滿足(zu)高壓輸出電源的高效率、高可(ke)靠性的需(xu)求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特(te)基二極管采(cai)用先(xian)進的(de)(de)(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)(de)(de)VF值和極低(di)的(de)(de)(de)高溫漏電流,能更好的滿足電源產(chan)品(pin)的(de)高(gao)效率,高(gao)可靠性(xing)的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復二極管具有極低的反向恢(hui)復時間Trr和極(ji)低的反(fan)向恢復(fu)電荷Qrr,并(bing)具有超快(kuai)的(de)(de)開關(guan)速度,應用于(yu)硬(ying)開關(guan)條(tiao)件下的(de)(de)PFC電(dian)路和高(gao)壓(ya)高(gao)頻電(dian)源的次(ci)級整流電(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具有極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和(he)Ciss ,并具有開(kai)關(guan)速(su)度快等(deng)特點,能滿足產品溫(wen)升和(he)效率的(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性能等特點(dian),能滿足產(chan)品(pin)高效和(he)可(ke)靠(kao)的要求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快并具有強的EAS性能(neng)和抗短路(lu)性能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產品高效(xiao)和可靠(kao)的要求。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用多層(ceng)外延(yan)工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易(yi)驅(qu)動、開關速度快的(de)特點,使(shi)電(dian)源更容(rong)易(yi)實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾德碳化硅二極管具極小(xiao)的(de)(de)反向恢復時間、高(gao)浪涌電流(liu)、高(gao)效可靠(kao)的(de)(de)特性,封裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德碳(tan)化(hua)硅mos管具有(you)低RDS(on)高開關速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾(er)德(de)吸(xi)收二(er)極(ji)管具有較(jiao)長的存儲時(shi)間和較小的Irr,同時具有較(jiao)長的(de)平(ping)緩反向恢(hui)(hui)復特性,能平(ping)緩恢(hui)(hui)復電(dian)(dian)流,應(ying)用于電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)的(de)RCD吸收(shou)電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)產品達到更好的(de)EMI特性,滿足電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)產品高效率、高可靠(kao)性的(de)需求。
通過優化(hua)二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷(duan)時(shi)間)較軟(ruan)的恢復特性,大幅減少諧(xie)波振蕩(dang)的發生(sheng),從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件(jian)的使用或者使用規(gui)格,例如X電(dian)容(rong),共模電(dian)感,差(cha)模電(dian)感等。