沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整流(liu)橋產品是由4顆肖特基硅二極(ji)管橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全(quan)橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋產(chan)品是由(you)四只低壓降整(zheng)流硅芯(xin)片作橋式連(lian)接(jie),有四個(ge)引(yin)出腳。兩(liang)只二極管負極的連接(jie)點(dian)是全橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)接點是全橋直流輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣(yuan)塑(su)封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極低的整(zheng)流橋。
逆變橋是(shi)由四顆(ke)快恢復二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管整合一起,即將(jiang)四顆(ke)芯片封裝到一個支架上(shang)作橋式連(lian)接,有四個引(yin)出腳(jiao)。兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接點是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“正極(ji)(ji)(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接點是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)”,另兩個引(yin)腳(jiao)是(shi)交流(liu)(liu)輸(shu)入(ru)端(duan),外用絕緣塑(su)料封裝而(er)成。
一種集成采(cai)樣功能的(de)整流橋(qiao),即通(tong)過采(cai)集電路(lu)中的(de)輸入電流,實(shi)現功率分配、電路(lu)保護。
開關橋是由四只高速開關二極管作橋(qiao)式連接,有四(si)個引出腳(jiao)。兩只二極管負極的連接點(dian)是(shi)全橋直流(liu)輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封而(er)成。
沃爾德高壓(ya)肖特基二極管(guan)具有較(jiao)低的VF值(zhi)和(he)極低的(de)(de)反向漏電流(liu)Ir,體現出良好(hao)(hao)的(de)(de)低溫(wen)升(sheng)特性。VRRM高(gao)達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能(neng)更(geng)好(hao)(hao)的(de)(de)滿足高壓輸出(chu)電源的高效率(lv)、高可靠(kao)性的需求。
沃爾(er)德 LOW VF肖特基二極管采用(yong)先(xian)進的(de)Trench工(gong)藝,具有較低的(de)VF值和(he)極低的(de)高溫漏電流,能更好的滿足電源產品的高(gao)效率(lv),高(gao)可靠性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超(chao)快恢(hui)復二極管具有極低的(de)反向恢(hui)復時間Trr和極低的反向(xiang)恢復(fu)電荷Qrr,并具有超快的(de)開關速(su)度,應(ying)用于硬開關條件下(xia)的(de)PFC電(dian)路和高壓(ya)高頻(pin)電(dian)源(yuan)的次級整流電(dian)路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并(bing)具有(you)開關速度快等(deng)特點,能滿足產品(pin)溫(wen)升和(he)效率的要(yao)求。
沃爾(er)德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足(zu)產品高(gao)效和可靠的要求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強(qiang)的EAS性能(neng)和(he)抗(kang)短路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和(he)可靠(kao)的要求。
沃爾(er)德SJ(超結)MOS采(cai)用多層(ceng)外延工(gong)藝,具(ju)有低RDS(on)、結(jie)電容(rong)小、Qg 小,易(yi)驅(qu)動、開關速度快(kuai)的特點,使電源更容(rong)易(yi)實現高效率,高可(ke)靠性。
沃爾(er)德碳(tan)化硅二極管具極小(xiao)的(de)反(fan)向恢復時(shi)間、高浪涌(yong)電流、高效可靠的(de)特性(xing),封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅(gui)mos管具有低RDS(on)高開(kai)關速(su)度,高效可靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸(xi)收(shou)二極(ji)管具有(you)較(jiao)長(chang)的存儲時間和較(jiao)小的Irr,同時具有較長的平緩(huan)反向恢復特(te)性,能平緩(huan)恢復電(dian)流(liu),應用(yong)于電(dian)源(yuan)的RCD吸收(shou)電(dian)路,從(cong)而使電(dian)源(yuan)產品(pin)達到更好的EMI特(te)性,滿足電(dian)源(yuan)產品(pin)高效率、高可靠性的需求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較軟的(de)恢復特性,大幅減少(shao)諧波振蕩的(de)發生,從(cong)而減少(shao)或者減小(xiao)橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的(de)使用或者使用規(gui)格,例(li)如X電(dian)(dian)(dian)容(rong),共(gong)模電(dian)(dian)(dian)感(gan),差模電(dian)(dian)(dian)感(gan)等。