沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆肖特基硅二極管橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的連接點(dian)是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端(duan)的(de)“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流(liu)橋(qiao)產品是由(you)四只(zhi)低壓降整流(liu)硅芯片作(zuo)橋(qiao)式(shi)連接(jie),有四個(ge)引出腳。兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)(de)連接(jie)點是全橋直流輸出端(duan)的(de)(de)“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑(su)封而成。LOW VF即是正向壓降(jiang)極低的(de)整流(liu)橋(qiao)。
逆變橋是(shi)由(you)四顆快恢(hui)復二極(ji)管整合一起(qi),即將四顆芯(xin)片封裝(zhuang)到一個支架(jia)上作橋式連(lian)(lian)接(jie),有四個引(yin)出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連(lian)(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直流(liu)輸出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直流(liu)輸出(chu)端的“負極(ji)”,另兩個引(yin)腳是(shi)交(jiao)流(liu)輸入端,外用絕緣塑(su)料封裝(zhuang)而成。
一種(zhong)集(ji)成采樣(yang)功能(neng)的整(zheng)流橋,即(ji)通(tong)過采集(ji)電(dian)(dian)路中的輸入(ru)電(dian)(dian)流,實現功率分(fen)配、電(dian)(dian)路保護。
開關橋(qiao)是(shi)由(you)四只高速開關二(er)極(ji)管作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管(guan)負極的(de)連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點(dian)是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的(de)“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而(er)成(cheng)。
沃爾德高壓肖特基(ji)二(er)極管(guan)具有較低的VF值和極低的反向漏電流Ir,體(ti)現出良好(hao)的低溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流從5A到(dao)40A全覆(fu)蓋(gai),能更好(hao)的滿足高(gao)壓輸出電源(yuan)的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)Trench工藝(yi),具有較低(di)的(de)VF值(zhi)和極低(di)的(de)高溫(wen)漏(lou)電流,能更好的滿足電(dian)源產品的高(gao)效率,高(gao)可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有(you)極(ji)低(di)的反向恢復時(shi)間Trr和(he)極低的反向恢復電荷Qrr,并具(ju)有超快的開(kai)關(guan)速度(du),應用(yong)于(yu)硬開(kai)關(guan)條件(jian)下(xia)的PFC電路(lu)和(he)高壓高頻(pin)電源的次級整流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并(bing)具(ju)有開關(guan)速度快等特(te)點,能滿足產品溫升和(he)效率的要求。
沃(wo)爾德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特(te)點,能滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并(bing)具有強(qiang)的EAS性能和(he)抗(kang)短(duan)路性能等特點,能滿足產品高效(xiao)和(he)可(ke)靠的(de)要(yao)求。
沃爾(er)德SJ(超(chao)結)MOS采用多層外(wai)延工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速度快的(de)特(te)點(dian),使(shi)電源更(geng)容(rong)易(yi)實現高效(xiao)率(lv),高可靠性。
沃(wo)爾德碳化硅二極管具(ju)極小的(de)反向恢復時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效可靠的(de)特性,封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具有低RDS(on)高開關(guan)速(su)度,高效可靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德(de)吸收二極管具有較(jiao)長的(de)(de)存儲時間和較小(xiao)的(de)(de)Irr,同(tong)時(shi)具有較長的(de)平緩反向恢復特(te)性,能平緩恢復電(dian)流(liu),應用于(yu)電(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)路,從而使(shi)電(dian)源產品達到更好的(de)EMI特(te)性,滿足電(dian)源產品高效率、高可靠性的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較(jiao)軟的恢(hui)復(fu)特性(xing),大幅減少(shao)諧波振(zhen)蕩的發生(sheng),從而減少(shao)或者減小(xiao)橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使用或者(zhe)使用規格,例如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感,差模電(dian)感等。