沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整(zheng)流橋產品是(shi)由4顆肖特基(ji)硅二(er)極(ji)管橋(qiao)式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的(de)連接點(dian)是全橋直(zhi)流輸(shu)出端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連(lian)接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端(duan)的(de)“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產(chan)品是由(you)四只低壓降整流硅(gui)芯(xin)片作橋式連(lian)接,有四個引(yin)出(chu)腳。兩只二極管負極的連接(jie)點(dian)是全橋直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即是正向壓(ya)降極低的整流(liu)橋。
逆變(bian)橋(qiao)是(shi)由(you)四顆(ke)快(kuai)恢復二(er)極(ji)(ji)管(guan)整合一起,即將(jiang)四顆(ke)芯片封(feng)裝到一個支(zhi)架上作橋(qiao)式連接(jie),有四個引出腳。兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點(dian)是(shi)直流(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點(dian)是(shi)直流(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)個引腳是(shi)交流(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣塑料(liao)封(feng)裝而成。
一種集(ji)成采樣(yang)功能的整流橋,即(ji)通過采集(ji)電(dian)路中的輸入電(dian)流,實現功率(lv)分配、電(dian)路保護(hu)。
開關橋是由(you)四(si)只高速開(kai)關二極管作橋(qiao)式連接,有四(si)個引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極”,兩只(zhi)二(er)極管正極的(de)連接點(dian)是(shi)全橋(qiao)直流輸出端(duan)的(de)“負極”,外用絕緣塑封而(er)成(cheng)。
沃爾德高壓肖特(te)基二(er)極管具(ju)有較低的VF值和(he)極低的反向漏電流Ir,體現出(chu)良好(hao)的低溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)的滿足高壓輸出電(dian)源的高效率、高可靠性的需(xu)求。
沃爾德(de) LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)(de)Trench工藝,具有較低的(de)(de)VF值(zhi)和極低的(de)(de)高溫漏電(dian)流(liu),能(neng)更好的滿足電源產品(pin)的高效率,高可靠(kao)性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢復(fu)二極(ji)管具有極(ji)低的反向恢復(fu)時(shi)間Trr和極低的反向(xiang)恢復電荷(he)Qrr,并具有超快的(de)開(kai)關(guan)(guan)速度,應用于硬開(kai)關(guan)(guan)條件下的(de)PFC電(dian)路和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源(yuan)的次(ci)級整(zheng)流電(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具有極(ji)低的(de)(de)RDs(on) 、低的(de)(de)Qg和Ciss ,并具有開(kai)關速度快(kuai)等特(te)點,能(neng)滿(man)足產品溫(wen)升和效率的(de)(de)要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性能等特點,能滿足(zu)產(chan)品高(gao)效(xiao)和(he)可靠的要(yao)求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快(kuai)并(bing)具有強的EAS性能(neng)和抗短(duan)路性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產(chan)品高效和可(ke)靠的(de)要求(qiu)。
沃爾德(de)SJ(超(chao)結)MOS采用多層外延工藝,具(ju)有低RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特點(dian),使電源更容易實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾(er)德(de)碳(tan)化硅(gui)二極管具極小的(de)(de)反向恢復時間、高浪(lang)涌電流、高效可靠的(de)(de)特性,封裝主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管(guan)具(ju)有低RDS(on)高開關(guan)速(su)度,高效可(ke)靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德吸收二極管具有較長的存儲時(shi)間和較小的Irr,同時具有較長的平緩反向恢(hui)復特(te)性(xing),能平緩恢(hui)復電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)(yuan)的RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)(yuan)產品達到更好的EMI特(te)性(xing),滿足電(dian)源(yuan)(yuan)產品高效率、高可靠性(xing)的需求。
通過優化二極管(guan)Ta/Tb(開通時(shi)間/關(guan)斷時間)較軟(ruan)的恢復特性,大幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的發(fa)生,從(cong)而(er)減(jian)少(shao)或者減(jian)小橋堆周邊(bian)EMI抑制器件(jian)的使用(yong)或者使用(yong)規(gui)格(ge),例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。