沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整流橋(qiao)產品是由4顆肖特(te)基硅二極管(guan)橋式(shi)連(lian)接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“負(fu)極”,外用(yong)絕緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低(di)壓降整流硅芯片作(zuo)橋式連(lian)接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二(er)極(ji)管負極(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全(quan)橋(qiao)直流輸出端的“負(fu)極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封(feng)而(er)成。LOW VF即是正向壓降極低的整流(liu)橋(qiao)。
逆變橋是(shi)(shi)由四顆快(kuai)恢(hui)復(fu)二(er)極(ji)管整合(he)一起,即(ji)將四顆芯片(pian)封(feng)(feng)裝到一個(ge)支架(jia)上作(zuo)橋式連(lian)接,有四個(ge)引(yin)出腳(jiao)。兩只二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是(shi)(shi)直流輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是(shi)(shi)直流輸出端的(de)“負(fu)極(ji)”,另(ling)兩個(ge)引(yin)腳(jiao)是(shi)(shi)交流輸入端,外用(yong)絕(jue)緣(yuan)塑料封(feng)(feng)裝而(er)成。
一種集成(cheng)采樣功(gong)(gong)能的整(zheng)流(liu)橋(qiao),即(ji)通(tong)過采集電路(lu)中的輸入(ru)電流(liu),實(shi)現功(gong)(gong)率分配(pei)、電路(lu)保護。
開關橋是由四只高速(su)開(kai)關(guan)二(er)極管(guan)作橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連接點是全(quan)橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端(duan)的(de)“負極(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而成(cheng)。
沃爾(er)德高壓肖特基二極管具有較低的VF值(zhi)和極(ji)低的(de)反向漏電流Ir,體現出良好的(de)低溫升特性。VRRM高達(da)350V,電流從5A到40A全(quan)覆蓋,能(neng)更(geng)好的(de)滿足(zu)高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二(er)極管采(cai)用先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和極低的(de)高(gao)溫漏電流(liu),能更好的(de)滿足電源產品的高效率,高可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極管具(ju)有極低的反向(xiang)恢復(fu)時間Trr和極低的(de)反向恢復(fu)電荷Qrr,并具有(you)超快的開(kai)關速度,應用于硬開(kai)關條件下的PFC電路和高壓高頻電源的次級整流(liu)電路。
抗靜電器件(jian),ESD。針對主流競(jing)品(pin)(pin),我(wo)司(si)均(jun)有可替代產品(pin)(pin),ESD類我(wo)司(si)接受定(ding)制物料。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有開關速度(du)快等特點,能滿足產品溫升(sheng)和(he)效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性(xing)能等特點,能滿足產品高效和可(ke)靠的(de)要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關(guan)速度快并(bing)具有(you)強(qiang)的EAS性(xing)能和抗(kang)短(duan)路性(xing)能等特點(dian),能滿足(zu)產品高(gao)效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用多層外延工藝(yi),具有低RDS(on)、結電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關速度(du)快的(de)特點,使電(dian)源更容易實現高(gao)(gao)效(xiao)率,高(gao)(gao)可靠性。
沃爾德(de)碳化硅(gui)二極管具極小(xiao)的反(fan)向恢復(fu)時間(jian)、高(gao)浪涌電流、高(gao)效(xiao)可靠的特性,封裝(zhuang)主要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾(er)德碳化硅mos管具(ju)有低RDS(on)高開關速度,高效可(ke)靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德吸收(shou)二極管(guan)具有較長的存(cun)儲時間和較小的Irr,同時具有較長的(de)(de)平(ping)緩反向恢復特性(xing),能平(ping)緩恢復電(dian)(dian)流,應(ying)用于電(dian)(dian)源(yuan)的(de)(de)RCD吸收電(dian)(dian)路(lu),從(cong)而使電(dian)(dian)源(yuan)產品(pin)達到更好(hao)的(de)(de)EMI特性(xing),滿足電(dian)(dian)源(yuan)產品(pin)高效率、高可(ke)靠性(xing)的(de)(de)需求。
通過優化二極管(guan)Ta/Tb(開(kai)通時間(jian)/關斷時間)較軟的(de)恢(hui)復(fu)特性,大幅減(jian)少諧波振蕩(dang)的(de)發(fa)生,從而減(jian)少或(huo)者減(jian)小橋(qiao)堆周(zhou)邊EMI抑制器件的使(shi)(shi)用(yong)或(huo)者使(shi)(shi)用(yong)規格,例(li)如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感,差模電(dian)感等。