沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產(chan)品是由4顆肖特基硅二極管橋式連(lian)接,有四個(ge)引出腳(jiao)。兩只二極管(guan)負極的連接(jie)點是全橋(qiao)直流(liu)輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是(shi)全(quan)橋直(zhi)流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封裝而(er)成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓(ya)降整流硅芯片作(zuo)橋(qiao)式(shi)連接,有四(si)個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的連(lian)接點是(shi)全(quan)橋直流輸出(chu)端(duan)的“正(zheng)極”,兩(liang)只二(er)極管正(zheng)極的連接(jie)點是(shi)全橋直(zhi)流輸出端的“負極”,外用(yong)絕緣塑(su)封而(er)成。LOW VF即(ji)是正向壓降極低的(de)整流橋。
逆變橋是由四顆快(kuai)恢復二(er)極(ji)管整合一(yi)起(qi),即將四顆芯片(pian)封(feng)裝到一(yi)個支架上作橋式連(lian)(lian)接,有四個引(yin)(yin)出腳(jiao)。兩(liang)只二(er)極(ji)管負極(ji)的連(lian)(lian)接點是直流輸出端的“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正極(ji)的連(lian)(lian)接點是直流輸出端的“負極(ji)”,另兩(liang)個引(yin)(yin)腳(jiao)是交(jiao)流輸入(ru)端,外用絕緣(yuan)塑料封(feng)裝而成。
一種集(ji)成采樣功(gong)能(neng)的整(zheng)流橋,即通過采集(ji)電(dian)路(lu)中的輸入電(dian)流,實現功(gong)率分配、電(dian)路(lu)保護。
開關橋是(shi)由四只高速開(kai)關(guan)二(er)極管作(zuo)橋(qiao)式連接,有四(si)個(ge)引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點是全(quan)橋(qiao)直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)(de)連接(jie)點是全橋(qiao)直(zhi)流輸(shu)出端的(de)(de)“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而(er)成。
沃爾德高壓肖特基二極管具有較低(di)的(de)VF值(zhi)和極低的(de)反向漏電流(liu)Ir,體(ti)現出良好(hao)的(de)低溫升特(te)性(xing)。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)的(de)滿(man)足高(gao)壓(ya)輸出電源的高(gao)效(xiao)率、高(gao)可(ke)靠性的需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二極(ji)管采用(yong)先進(jin)的Trench工藝,具有較低(di)(di)的VF值和極(ji)低(di)(di)的高溫漏電流,能(neng)更好的滿足電(dian)源(yuan)產品的高(gao)效率,高(gao)可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢(hui)復二極(ji)(ji)管具有(you)極(ji)(ji)低(di)的反向恢(hui)復時間Trr和極低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的(de)開關速度,應用于硬開關條件下的(de)PFC電(dian)路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻(pin)電(dian)源的次級整流電(dian)路(lu)。
沃爾(er)德(de)SGT MOS 具有極(ji)低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具有開關(guan)速度快等特點,能(neng)滿足產(chan)品(pin)溫升和效率的要(yao)求。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低(di)的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性能等特點,能滿足產品高(gao)效和可靠的要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性(xing)能和抗短路(lu)性(xing)能等特點,能滿足產品高(gao)效(xiao)和可(ke)靠的要求(qiu)。
沃(wo)爾德SJ(超結(jie))MOS采用多(duo)層(ceng)外延工藝(yi),具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特點,使電源(yuan)更容易實現高效率,高可靠(kao)性。
沃爾德吸收二(er)極(ji)管具有較長(chang)的(de)存(cun)儲時間和較小的(de)Irr,同(tong)時具(ju)有較長的(de)平(ping)緩(huan)(huan)反向恢復特(te)性(xing)(xing),能平(ping)緩(huan)(huan)恢復電(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)源的(de)RCD吸(xi)收電(dian)(dian)路(lu),從而使電(dian)(dian)源產品(pin)達(da)到更好的(de)EMI特(te)性(xing)(xing),滿足電(dian)(dian)源產品(pin)高(gao)(gao)效率、高(gao)(gao)可靠性(xing)(xing)的(de)需(xu)求。
通過(guo)優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間(jian))較軟(ruan)的(de)恢復特性(xing),大(da)幅減(jian)少諧波振(zhen)蕩的(de)發(fa)生,從而減(jian)少或者減(jian)小橋堆(dui)周邊EMI抑制器(qi)件的使用(yong)或者使用(yong)規(gui)格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。