沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆肖特基硅二極(ji)管橋式連接(jie),有四個引出腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點是全橋直流(liu)輸出端的“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四只低壓降(jiang)整流硅芯(xin)片作橋式連接(jie),有四個引出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點(dian)是(shi)全橋直流輸(shu)出端的“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋(qiao)直流(liu)輸出(chu)端的“負(fu)極(ji)”,外(wai)用(yong)絕(jue)緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓(ya)降極低的整流橋。
逆(ni)變橋是由四顆快恢復二極(ji)(ji)管整合一起,即將四顆芯片(pian)封裝到一個(ge)支架上作橋式(shi)連接,有四個(ge)引出腳(jiao)。兩只二極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連接點(dian)是直流輸(shu)出端(duan)的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點(dian)是直流輸(shu)出端(duan)的“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩個(ge)引腳(jiao)是交流輸(shu)入端(duan),外用絕緣(yuan)塑(su)料封裝而成。
一種集(ji)成采樣功能的(de)整流橋(qiao),即通(tong)過采集(ji)電(dian)路(lu)中的(de)輸入電(dian)流,實現(xian)功率分配、電(dian)路(lu)保護。
開關橋是(shi)由(you)四(si)只高速開(kai)關二極管作橋(qiao)式連接,有四(si)個引出(chu)腳。兩只二極管(guan)負極的連接點(dian)是全(quan)橋直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連(lian)接點(dian)是全橋直流輸出端(duan)的“負極”,外用絕緣塑(su)封而成。
沃爾德(de)高(gao)壓肖特基二極(ji)管具有較低的(de)VF值和極低的(de)反向漏(lou)電(dian)流Ir,體現出良(liang)好的(de)低溫升特性(xing)。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更好的(de)滿(man)足(zu)高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需(xu)求。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二極(ji)管采用(yong)先進(jin)的(de)(de)Trench工藝,具有較低的(de)(de)VF值(zhi)和極(ji)低的(de)(de)高(gao)溫漏電(dian)流,能(neng)更好的滿足電源產品的高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性的需求(qiu)。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢復二(er)極管具有極低的(de)反向恢復時間Trr和(he)極(ji)低的反向恢復電(dian)荷(he)Qrr,并具有(you)超(chao)快的開(kai)關速度,應用(yong)于硬開(kai)關條件(jian)下的PFC電路和高壓高頻電源(yuan)的次級整流(liu)電路。
沃爾德SGT MOS 具有極低(di)(di)的RDs(on) 、低(di)(di)的Qg和Ciss ,并具有開關速度快等特點,能滿足(zu)產品溫升和效(xiao)率的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具(ju)有強的EAS性(xing)能和抗(kang)短路性(xing)能等特(te)點,能滿(man)足產品高效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多(duo)層(ceng)外延工藝(yi),具有低RDS(on)、結電(dian)(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關速度快的(de)特點,使電(dian)(dian)源更容易實現(xian)高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收二極管(guan)具有較長的存儲(chu)時(shi)間和較小的Irr,同時(shi)具(ju)有較長的(de)平緩反向恢復特性(xing),能平緩恢復電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收(shou)電(dian)路,從而(er)使(shi)電(dian)源(yuan)產(chan)品達到(dao)更(geng)好的(de)EMI特性(xing),滿足電(dian)源(yuan)產(chan)品高(gao)效率、高(gao)可靠(kao)性(xing)的(de)需(xu)求(qiu)。
通過(guo)優(you)化二極管(guan)Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較軟的恢(hui)復特性,大幅減少諧波振蕩的發(fa)生(sheng),從而(er)減少或(huo)者減小(xiao)橋堆周(zhou)邊EMI抑制器件的使用或(huo)者使用規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等。