沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋(qiao)產品是由4顆肖特基硅(gui)二極管(guan)橋式連(lian)接,有四個(ge)引出腳(jiao)。兩(liang)只二極管負(fu)極的連接點是(shi)全橋直流輸(shu)出端的“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)(de)連接點是全橋直流輸出(chu)端的(de)(de)“負(fu)極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋產品是(shi)由四(si)只低壓降整(zheng)流硅芯片作(zuo)橋式連接(jie),有四個引出腳。兩只二(er)極管負極的連(lian)接點是(shi)全橋(qiao)直(zhi)流輸出端(duan)的“正極”,兩只二(er)極管正極的(de)連接點是全橋(qiao)直流(liu)輸(shu)出端的(de)“負(fu)極”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向(xiang)壓降極低的整流(liu)橋。
逆變橋是(shi)由(you)四(si)(si)顆快恢復(fu)二(er)極(ji)(ji)(ji)管整(zheng)合一起,即將(jiang)四(si)(si)顆芯片封裝到一個支架上作(zuo)橋式連接(jie),有四(si)(si)個引(yin)出(chu)(chu)腳。兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)的連接(jie)點(dian)(dian)是(shi)直(zhi)流輸出(chu)(chu)端的“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的連接(jie)點(dian)(dian)是(shi)直(zhi)流輸出(chu)(chu)端的“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩個引(yin)腳是(shi)交流輸入端,外用絕緣塑料(liao)封裝而成(cheng)。
一種集(ji)成采樣(yang)功能(neng)的整(zheng)流橋,即通(tong)過采集(ji)電路(lu)中的輸入電流,實現功率分配、電路(lu)保護。
開關(guan)橋是由四只高速開關二(er)極管作橋式(shi)連接,有四(si)個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸(shu)出端的“正(zheng)(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管(guan)正(zheng)(zheng)極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的(de)“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德(de)高壓肖特基二極管具有較(jiao)低(di)的VF值和極低的(de)反向(xiang)漏電流(liu)Ir,體現(xian)出良好的(de)低溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到40A全(quan)覆蓋,能更好的(de)滿足(zu)高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二極(ji)管采(cai)用(yong)先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和極(ji)低的(de)高溫(wen)漏電流,能更(geng)好的滿足電源產品的(de)高效率,高可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超(chao)快恢復二極管具有極低的反向恢復時間Trr和極低的反(fan)向恢復電荷Qrr,并具有超快的(de)開(kai)關速度(du),應用(yong)于硬開(kai)關條件下的(de)PFC電路(lu)和高壓(ya)高頻(pin)電源(yuan)的(de)次(ci)級整流電路(lu)。
抗靜電器件,ESD。針對(dui)主流競(jing)品(pin),我(wo)司均(jun)有可替代產品(pin),ESD類(lei)我(wo)司接受(shou)定制(zhi)物料(liao)。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低(di)(di)的(de)RDs(on) 、低(di)(di)的(de)Qg和Ciss ,并具有(you)開關速(su)度快等特(te)點,能(neng)滿足產(chan)品溫升和效率的(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高(gao)效(xiao)和可(ke)靠的要(yao)求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并(bing)具有強的EAS性(xing)(xing)能和(he)抗短路性(xing)(xing)能等特點,能滿足產(chan)品(pin)高效(xiao)和(he)可靠的(de)要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采(cai)用多層外延工藝,具有(you)低(di)RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易驅動(dong)、開關速度快的(de)特點,使(shi)電源更容(rong)易實現高(gao)(gao)效率,高(gao)(gao)可靠性。
沃爾德碳化(hua)硅(gui)二極(ji)管具極(ji)小的反(fan)向恢(hui)復時間、高(gao)浪涌電(dian)流、高(gao)效可靠的特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德(de)碳化硅mos管具有低RDS(on)高開(kai)關速度,高效(xiao)可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃(wo)爾德吸收二極(ji)管(guan)具有較長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同時具有較長的平緩反向恢復(fu)特性,能平緩恢復(fu)電流,應用于電源(yuan)的RCD吸收電路,從而使電源(yuan)產(chan)品(pin)達到更好的EMI特性,滿足電源(yuan)產(chan)品(pin)高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠(kao)性的需(xu)求。
通過優化二極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關斷時間(jian))較(jiao)軟的恢復特(te)性,大幅減少(shao)諧波振蕩的發生,從而減少(shao)或者(zhe)減小橋堆(dui)周邊EMI抑(yi)制器(qi)件的(de)使用或(huo)者使用規格,例如X電(dian)(dian)容,共模(mo)電(dian)(dian)感,差模(mo)電(dian)(dian)感等。