沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整(zheng)流橋產品(pin)是由4顆(ke)肖特基硅二極管橋式連接(jie),有(you)四個引出(chu)腳。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)連接點(dian)是全(quan)橋直流輸出端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)”,外用絕緣朔(shuo)料(liao)封裝而成。
LOW VF整流(liu)橋(qiao)產(chan)品是(shi)由四只低壓降整流硅芯片作橋式連接(jie),有四(si)個(ge)引(yin)出(chu)(chu)腳。兩(liang)只二極管負極的連接點(dian)是(shi)全(quan)橋(qiao)直流(liu)輸(shu)出(chu)(chu)端的“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的(de)連接點(dian)是全橋(qiao)直流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即是正向壓降(jiang)極低(di)的整流橋。
逆變(bian)橋(qiao)(qiao)是(shi)(shi)由四(si)顆快恢復二極(ji)(ji)(ji)管整合一起,即將四(si)顆芯片封裝(zhuang)到一個(ge)(ge)支架上作(zuo)橋(qiao)(qiao)式連接,有四(si)個(ge)(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)(shi)直(zhi)流(liu)(liu)輸(shu)(shu)出(chu)端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)(shi)直(zhi)流(liu)(liu)輸(shu)(shu)出(chu)端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)(ji)(ji)”,另兩個(ge)(ge)引腳(jiao)是(shi)(shi)交流(liu)(liu)輸(shu)(shu)入端(duan),外用(yong)絕緣塑料(liao)封裝(zhuang)而(er)成。
一(yi)種集成采樣(yang)功能的整流橋,即通(tong)過采集電(dian)路(lu)中(zhong)的輸入(ru)電(dian)流,實(shi)現功率分配、電(dian)路(lu)保護。
開關橋是由(you)四只高速開關(guan)二極管作橋式(shi)連接(jie),有四(si)個引出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點(dian)是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸(shu)出端的“負(fu)極(ji)”,外用絕(jue)緣(yuan)塑(su)封而成(cheng)。
沃爾德(de)高壓(ya)肖特基二極(ji)管具有較低(di)的(de)VF值和(he)極低(di)的反向(xiang)漏電流Ir,體現出良好的低(di)溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流從(cong)5A到40A全覆蓋,能更(geng)好的滿足高壓輸出電(dian)源(yuan)的高效率、高可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)Trench工(gong)藝(yi),具有較低的(de)VF值(zhi)和極低的(de)高溫漏電流(liu),能(neng)更好的(de)滿足電(dian)源產品的高效率,高可靠(kao)性的需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管具有極低的反向恢復時間Trr和極低的(de)反向恢復電荷Qrr,并具有超快的開關(guan)速(su)度,應用于(yu)硬開關(guan)條件(jian)下(xia)的PFC電路(lu)和高壓高頻電源的次級(ji)整(zheng)流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和(he)(he)Ciss ,并(bing)具(ju)有開關速度快等特點,能滿足產品(pin)溫升和(he)(he)效率的(de)要(yao)求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和可靠的要求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具有(you)較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快并具有強的EAS性(xing)能和(he)抗(kang)短路性(xing)能等特(te)點(dian),能滿足產品高效和(he)可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾德(de)SJ(超結)MOS采用(yong)多層外延工藝,具有低RDS(on)、結(jie)電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關速度快的特(te)點(dian),使電(dian)源更容易實(shi)現高效(xiao)率(lv),高可(ke)靠性。
沃(wo)爾德(de)吸(xi)收二極管具有較長的(de)存儲時間和較(jiao)小(xiao)的(de)Irr,同時具有(you)較(jiao)長的平緩(huan)(huan)反向恢(hui)復特(te)性(xing),能(neng)平緩(huan)(huan)恢(hui)復電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)(yuan)的RCD吸收(shou)電(dian)路(lu),從而使電(dian)源(yuan)(yuan)產品(pin)達到更好(hao)的EMI特(te)性(xing),滿足電(dian)源(yuan)(yuan)產品(pin)高效率、高可靠(kao)性(xing)的需求。
通過優化(hua)二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間)較(jiao)軟的恢(hui)復(fu)特(te)性,大幅減少諧波振蕩的發生,從(cong)而減少或者減小橋堆周邊EMI抑(yi)制器件的(de)使用或者使用規格,例如X電(dian)(dian)容,共(gong)模電(dian)(dian)感,差模電(dian)(dian)感等。