沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋產品(pin)是由4顆肖特基硅二極管(guan)橋(qiao)式連接,有四個引出(chu)(chu)腳。兩(liang)只二(er)極管(guan)負極的連接點是(shi)全橋直流輸(shu)出(chu)(chu)端的“正極”,兩只二(er)極管正極的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極”,外用絕(jue)緣(yuan)朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整流硅芯片作橋式連(lian)接(jie),有(you)四個引(yin)出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負極的連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向(xiang)壓(ya)降極(ji)低的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋是(shi)由四(si)顆(ke)快恢復二極(ji)(ji)管(guan)整合(he)一(yi)起,即(ji)將四(si)顆(ke)芯片(pian)封裝到一(yi)個(ge)支(zhi)架(jia)上(shang)作橋式連接(jie),有四(si)個(ge)引(yin)(yin)出(chu)腳。兩(liang)只二極(ji)(ji)管(guan)負(fu)極(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)點是(shi)直(zhi)流輸出(chu)端的(de)(de)“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)點是(shi)直(zhi)流輸出(chu)端的(de)(de)“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引(yin)(yin)腳是(shi)交流輸入端,外用絕(jue)緣(yuan)塑料封裝而成(cheng)。
一種(zhong)集成(cheng)采(cai)樣功(gong)能的整流(liu)橋,即通過采(cai)集電(dian)(dian)路中的輸入電(dian)(dian)流(liu),實現功(gong)率分配、電(dian)(dian)路保護。
開關橋(qiao)是由(you)四只高速(su)開(kai)關二極(ji)管作橋式連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接點是全橋直流輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)(de)連接點是全橋直流輸出(chu)端的(de)(de)“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑(su)封而成。
沃爾(er)德(de)高壓(ya)肖特基二(er)極管(guan)具有較低的VF值和(he)極低的反(fan)向(xiang)漏電(dian)流Ir,體現出良好的低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋,能更好的滿足高壓輸出電源的高效率、高可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二極管采(cai)用先(xian)進的Trench工(gong)藝(yi),具(ju)有較低的VF值(zhi)和極低的高溫漏電流,能更(geng)好的滿足電源產品的(de)高效率,高可靠性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管具有(you)極低(di)的反向恢復時間Trr和(he)極低的反向恢復(fu)電荷(he)Qrr,并(bing)具有超快的(de)開(kai)關(guan)速度,應用于硬開(kai)關(guan)條件(jian)下的(de)PFC電(dian)路(lu)和高壓高頻電(dian)源(yuan)的次級(ji)整流(liu)電(dian)路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具有極(ji)低(di)(di)的(de)(de)RDs(on) 、低(di)(di)的(de)(de)Qg和(he)Ciss ,并具有開(kai)關(guan)速度(du)快等特(te)點,能滿足產品溫升(sheng)和(he)效率的(de)(de)要(yao)求。
沃(wo)爾(er)德Planar MOS 具(ju)有(you)低(di)的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能(neng)等特(te)點(dian),能(neng)滿足產(chan)品高效和可(ke)靠的(de)要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并具有強(qiang)的EAS性能和抗短路性能等特點,能滿足產品高效和可靠的(de)要求。
沃(wo)爾德SJ(超結(jie))MOS采用多(duo)層外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開關速度(du)快的(de)特點,使(shi)電源(yuan)更容易實現(xian)高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收二(er)極管具有較長的存儲時間和較小的Irr,同時(shi)具有(you)較長的(de)平緩(huan)反(fan)向恢復特(te)性(xing),能平緩(huan)恢復電(dian)(dian)(dian)(dian)流,應用(yong)于電(dian)(dian)(dian)(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)(dian)(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)(dian)(dian)源產品達到更(geng)好(hao)的(de)EMI特(te)性(xing),滿足(zu)電(dian)(dian)(dian)(dian)源產品高效率(lv)、高可(ke)靠性(xing)的(de)需求(qiu)。
通過優(you)化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復(fu)特(te)性,大(da)幅減少(shao)諧波振蕩的發生,從而減少(shao)或(huo)者(zhe)減小橋(qiao)堆(dui)周邊EMI抑制器件的使(shi)用(yong)或者使(shi)用(yong)規格,例(li)如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。