

沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
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整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整(zheng)流橋(qiao)產(chan)品是由4顆肖特(te)基硅二極管橋式連(lian)接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點(dian)是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是(shi)全橋直(zhi)流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣朔料(liao)封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只(zhi)低壓降整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二(er)極管負極的(de)連接點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即是正向壓(ya)降極低的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋是由(you)四(si)顆快恢復二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管整合一起,即將(jiang)四(si)顆芯(xin)片封裝(zhuang)到一個(ge)支架上作(zuo)橋式連接(jie),有(you)四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是直流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是直流輸出(chu)端的(de)“負極(ji)(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳是交流輸入端,外用絕緣塑料封裝(zhuang)而成。
一種集成采(cai)樣(yang)功能的整流橋(qiao),即通過采(cai)集電路中的輸入電流,實(shi)現功率分(fen)配、電路保護(hu)。
開關橋是由四只高(gao)速開關(guan)二極管作橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只二極管負極的連(lian)接點(dian)是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣(yuan)塑(su)封而成。
沃爾德高壓肖特基二極(ji)管具有較低的VF值和極低(di)的反向漏(lou)電流(liu)Ir,體現(xian)出良(liang)好的低(di)溫(wen)升特性。VRRM高達(da)350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的滿(man)足高壓輸出電源的高效率、高可靠性的需(xu)求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用(yong)先進的(de)Trench工藝,具有(you)較低的(de)VF值和極低的(de)高溫漏電流(liu),能更好(hao)的滿足(zu)電源(yuan)產品的高效(xiao)率(lv),高可(ke)靠性的需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快(kuai)恢復二(er)極(ji)管具有極(ji)低(di)的反向恢復時(shi)間Trr和(he)極低的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并(bing)具有超快的開關速度,應用于硬(ying)開關條件下的PFC電(dian)路和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源的(de)次(ci)級整流電(dian)路。
抗(kang)靜電器件,ESD。針對(dui)主流競品(pin),我(wo)司(si)均(jun)有可替(ti)代(dai)產品(pin),ESD類我(wo)司(si)接受(shou)定制物(wu)料(liao)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度快等特點,能滿足產品(pin)溫升和效率的要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的(de)EAS性能等特點,能滿足產品高效和可靠的要求。
沃(wo)爾德(de)Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速(su)度快并具有(you)強(qiang)的EAS性能(neng)和(he)抗短路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產(chan)品高效(xiao)和(he)可靠的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多層外延工(gong)藝,具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動、開關(guan)速度快的(de)特點,使電源更容易(yi)實(shi)現高(gao)(gao)效率,高(gao)(gao)可(ke)靠(kao)性。
沃(wo)爾德(de)碳化(hua)硅(gui)二極(ji)管具極(ji)小的(de)反向恢復時間、高浪涌電流、高效可靠的(de)特性(xing),封(feng)裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾(er)德碳化硅(gui)mos管(guan)具有低RDS(on)高(gao)開關(guan)速(su)度,高(gao)效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管具有(you)較(jiao)長(chang)的(de)存(cun)儲時(shi)間和較小的(de)Irr,同(tong)時(shi)具(ju)有(you)較長的(de)平緩(huan)反向(xiang)恢(hui)復特性,能(neng)平緩(huan)恢(hui)復電流,應(ying)用(yong)于電源(yuan)(yuan)的(de)RCD吸收電路,從而(er)使電源(yuan)(yuan)產品達到更好的(de)EMI特性,滿足(zu)電源(yuan)(yuan)產品高效率、高可靠性的(de)需求(qiu)。
通過優(you)化二極管(guan)Ta/Tb(開通時間/關斷(duan)時間)較軟的恢復特(te)性,大幅減少(shao)諧波振(zhen)蕩的發生,從而減少(shao)或者(zhe)減小(xiao)橋堆周邊EMI抑制器件的(de)使用或者使用規格(ge),例如X電(dian)容,共(gong)模(mo)電(dian)感,差模(mo)電(dian)感等。