




















整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋(qiao)產品是由4顆肖特基硅二極管橋式連接,有四個(ge)引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“負(fu)極(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整流(liu)硅芯片作橋式連接,有(you)四個引出腳(jiao)。兩只(zhi)二極管負極的(de)連接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向(xiang)壓降極(ji)低的(de)整流(liu)橋。
逆變橋(qiao)是由四顆(ke)快恢復二極管(guan)整合一起,即(ji)將四顆(ke)芯片(pian)封裝到一個(ge)支(zhi)架上作橋(qiao)式連接(jie),有四個(ge)引(yin)出腳。兩(liang)只二極管(guan)負(fu)極的連接(jie)點是直流(liu)輸(shu)出端的“正極”,兩(liang)只二極管(guan)正極的連接(jie)點是直流(liu)輸(shu)出端的“負(fu)極”,另兩(liang)個(ge)引(yin)腳是交流(liu)輸(shu)入端,外用(yong)絕(jue)緣(yuan)塑料封裝而成。
一種集(ji)成采(cai)樣(yang)功(gong)能的整流橋,即通過采(cai)集(ji)電路中的輸入電流,實(shi)現功(gong)率分配、電路保(bao)護。
開關橋是由四只高速開關二極(ji)管作橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只(zhi)二極管負極的連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出端的“正(zheng)(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)(zheng)極(ji)的連(lian)接點(dian)是全橋直流輸出端的“負(fu)極(ji)”,外用(yong)絕緣塑(su)封而成。
沃爾德高壓肖(xiao)特基二極(ji)管具有較低的VF值和極低(di)的反向漏電流Ir,體現出良好的低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全(quan)覆(fu)蓋,能更好的滿足高壓輸出電(dian)源的高效率、高可靠(kao)性(xing)的需(xu)求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管(guan)采(cai)用先進(jin)的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和極(ji)低的(de)高溫(wen)漏電流,能更好的滿(man)足電源產品的高(gao)效率,高(gao)可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超(chao)快恢復(fu)二極(ji)管具有(you)極(ji)低的反向(xiang)恢復(fu)時間Trr和極低的反向恢復電(dian)荷(he)Qrr,并具有超快的開關速(su)度,應(ying)用(yong)于硬開關條件(jian)下的PFC電路和高壓高頻電源的次級整流(liu)電路。
沃爾(er)德(de)SGT MOS 具(ju)有極(ji)低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有開(kai)關(guan)速度快等特點(dian),能滿足產品溫升和(he)效(xiao)率的(de)要(yao)求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強(qiang)的EAS性能等特點(dian),能滿足產品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速(su)度快并(bing)具有(you)強的EAS性能和(he)抗短路性能等特點,能滿足(zu)產(chan)品高效(xiao)和(he)可靠的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多層外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速(su)度快的特(te)點,使電源更(geng)容易(yi)實現高效率,高可靠性。
沃(wo)爾德碳化硅二極管(guan)具極小的反(fan)向(xiang)恢復時間(jian)、高浪(lang)涌(yong)電流、高效可(ke)靠的特性,封裝主(zhu)要(yao)有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德碳化硅(gui)mos管具有(you)低RDS(on)高開關(guan)速度,高效可靠(kao),封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃(wo)爾德(de)吸收二極(ji)管具有較長(chang)的存儲時間和(he)較小(xiao)的Irr,同(tong)時(shi)具(ju)有較長的平緩反向恢復特(te)性(xing),能平緩恢復電(dian)流,應用于電(dian)源的RCD吸(xi)收(shou)電(dian)路,從而(er)使電(dian)源產品達到(dao)更好的EMI特(te)性(xing),滿足電(dian)源產品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性(xing)的需(xu)求。
通過優化(hua)二極管Ta/Tb(開通(tong)時間/關斷時間)較軟的(de)恢(hui)復特性,大幅減(jian)少(shao)諧波(bo)振蕩的(de)發(fa)生(sheng),從而減(jian)少(shao)或者減(jian)小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格,例如X電(dian)容,共模(mo)電(dian)感(gan),差模(mo)電(dian)感(gan)等。