玩異少婦一區二區A片開關橋

產品
- 整流器件類
  - 橋堆
    
    軟橋
    
    產品概述
    
    通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性，大幅減少諧波振蕩的發生，從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格，例如X電容，共模電感，差模電感等。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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    普通橋
    
    產品概述
    
    整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”，外用絕緣塑封而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    整流橋
    
    整流橋當中的整流，是通過二極管的單向導通性來完成工作；簡單點說，二極管是單向的，它是正向導通和反向截止。二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時，能使電路中的電流只按單向流動，即所謂“整流”。
    
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    肖特基橋
    
    產品概述
    
    肖特(te)基(ji)整流橋產品是由4顆(ke)肖特基硅(gui)二極管橋式連接(jie)，有(you)四個引(yin)出腳(jiao)。兩只二極管(guan)負極的(de)連(lian)接點是全橋直流輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)(ji)”，兩只二極(ji)(ji)(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)連接點(dian)是全橋直流輸(shu)出端的(de)(de)“負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)”，外用絕緣朔料(liao)封裝而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    肖特基整流橋
    
    肖特基整流橋，有更低的壓降與更快的開關速度，在高頻、低電壓、大電流整流電路中有更低的溫度表現與更好的效率提升。
    
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    低壓降橋
    
    產品概述
    
    LOW VF整流橋(qiao)產品是由四只低壓降整流硅芯片作橋式連接(jie)，有(you)四個引(yin)出腳。兩只(zhi)二極管(guan)負極的(de)連接(jie)點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)”，兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“負極(ji)”，外(wai)用絕緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極低的(de)整流(liu)橋。
    
    產品特點
    
    1
    
    低壓降橋
    
    所謂LOW VF整流橋是指正向壓降低于普通整流橋的正向壓降，根據熱量計算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，電壓越低，所發出的熱量越小，相對應的有功功率就越高；所以，同功率電路應用中LOW VF整流橋的效率更高，熱量更低。
    
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    逆變橋
    
    產品概述
    
    逆(ni)變橋(qiao)是(shi)(shi)由(you)四顆快(kuai)恢復二極(ji)管整合一(yi)起，即將四顆芯片封裝(zhuang)到一(yi)個(ge)支架上作(zuo)橋(qiao)式連(lian)(lian)接(jie)(jie)，有(you)四個(ge)引出腳(jiao)。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連(lian)(lian)接(jie)(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)輸(shu)出端(duan)(duan)的“正(zheng)極(ji)”，兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)(lian)接(jie)(jie)點是(shi)(shi)直流(liu)輸(shu)出端(duan)(duan)的“負極(ji)”，另兩(liang)個(ge)引腳(jiao)是(shi)(shi)交流(liu)輸(shu)入端(duan)(duan)，外用絕緣塑(su)料(liao)封裝(zhuang)而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    逆變橋
    
    逆變橋工作頻率高（10KHz-70KHz）,PCBA面積小；反向恢復時間為75ns，反向恢復時間較短, 雜散電容相對較小，所以對EMI 改善有優勢。
    
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    采樣橋
    
    產品概述
    
    一(yi)種集成采樣功能的整流橋，即通過采集電(dian)路中(zhong)的輸入電(dian)流，實現(xian)功率分配、電(dian)路保(bao)護。
    
    產品特點
    
    1
    
    較低的電阻溫度系數，較寬的使用溫度范圍（480℃以下）
    
    具有較低的電阻溫度系數，溫漂小，輸出功率相對穩定.精密電阻封裝到整流橋內部，可以利用散熱片對精密電阻散熱，有效降低精密電阻溫度，減少溫升對電阻阻值的影響
    
    2
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，一致性高
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，性價比高；改善外置精密電阻安裝工藝復雜、批量生產時電阻值一致性不好、不良率高的問題，提升功率一致性、穩定性。大批量生產時一致性高。
    
    3
    
    減少干擾
    
    改善了精密電阻在線路板上跨接通過，主回路過長，導致干擾增加和采集精度偏差的問題
    
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    開關橋
    
    產品概述
    
    開關(guan)橋(qiao)是由四只高(gao)速開關(guan)二極(ji)管作橋式(shi)連接，有四個引出(chu)(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出(chu)(chu)端的(de)“正(zheng)極”，兩只二極管正(zheng)極的連(lian)接點是全(quan)橋(qiao)直流(liu)輸出端(duan)的“負極”，外用(yong)絕緣塑(su)封而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    開關橋
    
    開關橋有極低的正向壓降與極高的開關速度，利用其極低的損耗和極快的開關速度，在電網監測、智能電表、儀器儀表等行業廣泛應用。
    
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  - 肖特基
    
    普通肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德肖特基二極管采用先進的封裝工藝，具有低正向壓降的特點。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產品的高效率，高可靠性的需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    低正向壓降
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    高壓肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德高壓(ya)肖特基二極管具有較(jiao)低(di)的VF值和極低(di)的(de)反向漏電(dian)流(liu)Ir，體現出(chu)良好(hao)的(de)低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流(liu)從(cong)5A到(dao)40A全覆蓋，能(neng)更好(hao)的(de)滿足(zu)高(gao)壓輸出電源的高(gao)效(xiao)率、高(gao)可(ke)靠性的需求(qiu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    反向漏電流
    
    極低的反向漏電流Ir
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源的需求
    
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    低壓降肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德 LOW VF肖特基二極(ji)管(guan)采用先進的(de)Trench工藝，具有較低(di)的(de)VF值和極(ji)低(di)的(de)高溫漏(lou)電流，能更好的(de)滿足(zu)電源(yuan)產(chan)品的高(gao)效(xiao)率，高(gao)可(ke)靠(kao)性的需(xu)求(qiu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    漏電流
    
    極低的高溫漏電流
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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  - 快恢復
    
    普通快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德快恢復二極管采用先進的封裝工藝，電壓(ya)從(cong)100V到(dao)(dao)1700V，電流從(cong)1A到(dao)(dao)300A,反向恢復時間從(cong)16ns到(dao)(dao)500ns ,適用于(yu)PFC電路，高頻高壓(ya)電源等。
    
    產品特點
    
    1
    
    電壓分布
    
    豐富的電壓分布
    
    2
    
    封裝形式
    
    多種封裝形式，滿足各類電源需求
    
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    LOW Trr快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德(de)LOW Trr超快恢復二(er)極管具(ju)有(you)極低(di)的反向恢復時間Trr和極低的(de)反向恢復電荷Qrr，并具(ju)有超(chao)快的(de)開關速度，應用于(yu)硬開關條件下(xia)的(de)PFC電(dian)路(lu)和(he)高壓(ya)高頻電(dian)源的次級整流電(dian)路(lu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR和QRR
    
    極低的Trr和Qrr，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快的開關速度，減小開關損耗。
    
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    LOW VF 快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德LOW VF快恢復二極管具有低的VF值、低漏電(dian)流，應用于PFC電(dian)路、高頻高壓電(dian)路、次級整流電(dian)路。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值和漏電流
    
    低VF值，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快開關速度。
    
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    共陰共陽快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德共陰共陽快恢復二(er)極(ji)管具有一致(zhi)性好，低VF值、低(di)Trr、低(di)漏(lou)電(dian)(dian)(dian)流(liu)的(de)特性，應用于高頻橋式(shi)整(zheng)流(liu)電(dian)(dian)(dian)路，正負壓輸出整(zheng)流(liu)電(dian)(dian)(dian)路、高頻高壓大(da)電(dian)(dian)(dian)流(liu)電(dian)(dian)(dian)路。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值及反向恢復時間
    
    低VF值，低反向恢復時間。
    
    2
    
    漏電流
    
    低漏電流
    
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  - 開關管
    
    全系列
    
    產品概述
    
    沃爾德開關二極管(guan)具有較(jiao)快的恢復時間和高開關速度(du)的特性(xing)，廣泛應(ying)用于電(dian)源、音頻、視頻、無線通信、工業等(deng)領域。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    較小的Trr (反向恢復時間）,開關速度快
    
    2
    
    封裝體積
    
    封裝小，體積小
    
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- 保護器件類
  - TVS
    
    TVS二極管
    
    產品概述
    
    瞬態抑制二極管，TVS。全系(xi)列產品(pin)都有。
    
    產品特點
    
    1
    
    TVS二極管
    
    1、TVS是一種高品質的突波吸收器，以二極管（伏安特性）并聯在電路中。自然界的感應雷擊、靜電釋放、電子裝置的電流浪涌都是讓現代電子系統面臨嚴峻的考驗。在電路中產生瞬態電壓時，TVS利用雪崩原理，以P秒級的反應速度瞬間起到分流限壓的作用，從而保護負載不被損壞。
    
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  - ESD
    
    靜電抑制器
    
    產品概述
    
    抗(kang)靜電(dian)器件，ESD。針對(dui)主流競品(pin)，我司均(jun)有可替(ti)代(dai)產品(pin)，ESD類我司接受定制物料。
    
    產品特點
    
    1
    
    ESD
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半導體）靜電抑制器，小型化的TVS，與TVS有著一樣的特性和工作方式。只是隨著把內部芯片面積的減少，來獲得了體積小，電容值小（電容和體積是成正比），封裝方式多樣的特點。主要應用于一些小型號的便攜設備的防靜電和抗小型脈沖群的處理。對于ESD TVS 多路防護的產品，也叫陣列產品(IC)。
    
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  - GDT
    
    GDT
    
    產品概述
    
    陶瓷氣體放電管(guan)，GDT。全系列產品都有，目前正(zheng)在開發超薄型產品。
    
    產品特點
    
    1
    
    GDT
    
    GDT“陶瓷氣體放電管”是一種陶瓷封裝的、內充低壓惰性氣體的短路型保護器件，一般分二電極和三電極兩種結構。基本的工作原理是氣體放電。當極間的電場強度超過氣體的擊穿強度時，就引起間隙放電，從而限制了極間的電壓，使與放電管并聯的其它器件得到保護。
    
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  - MOV
    
    MOV
    
    產品概述
    
    氧化(hua)鋅(xin)壓敏電阻，MOV。我司(si)只做(zuo)貼片類產(chan)品(pin)SMD-MOV，以及復合(he)功能型(xing)產(chan)品(pin)GMOV。
    
    產品特點
    
    1
    
    MOV
    
    MOV是一種以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物半導體非線性電阻原件，所謂壓敏，就是對電壓敏感，當電壓達到一定數值的時候，元件開始動作。
    
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  - TSS
    
    TSS
    
    產品概述
    
    半導體放電(dian)管，TSS。全(quan)系列產品都有。
    
    產品特點
    
    1
    
    TSS
    
    TSS是一種PNPN組件,一個無門電極的自由電壓控制的可控硅,當電壓超過它的斷態峰值電壓(或稱雪崩電壓)時，半導體放電會將瞬態電壓箝制到組件的開關電壓(或稱轉折電壓)值之內。電壓繼續增大時，半導體放電管由于負阻效應進入導通狀態，只有在當電流小于維持電流時，組件才復位并恢復到它的高阻抗狀態。
    
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- 功率器件類
  - MOS
    
    SGT MOS
    
    產品概述
    
    沃爾德SGT MOS 具有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ，并具有開(kai)關速度(du)快(kuai)等特(te)點(dian)，能(neng)滿足(zu)產品溫(wen)升和效(xiao)率的(de)要求(qiu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值
    
    2
    
    速度
    
    開關速度快
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Planar MOS
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和(he)Ciss 并具有(you)強(qiang)的EAS性能等特(te)點，能滿(man)足(zu)產品(pin)高效(xiao)和(he)可(ke)靠(kao)的要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDs(on)
    
    低的RDs(on)和Ciss
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Trench Mos
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ，開關速(su)度(du)快并具有(you)強的EAS性能(neng)(neng)和抗短路性能(neng)(neng)等特點，能(neng)(neng)滿(man)足產品高效和可靠的要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    抗短路
    
    抗短路性能
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    SJ(超結)MOS
    
    產品概述
    
    沃爾德SJ（超結）MOS采用多(duo)層(ceng)外延工藝，具有低RDS（on）、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao)，易(yi)驅動(dong)、開關速度快(kuai)的特點，使(shi)電源更(geng)容易(yi)實現(xian)高效率，高可靠(kao)性。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(ON)
    
    低RDS（on）（詳細請看產品選型列表）
    
    2
    
    結電容
    
    結電容小、Qg小、易驅動
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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- 第三代半導體
  - SIC 二極管
    
    碳化硅二極管
    
    產品概述
    
    沃爾德碳化硅二極(ji)管具(ju)極(ji)小的反(fan)向恢復(fu)時間、高浪(lang)涌電流、高效(xiao)可靠的特性，封裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    極小的TRR
    
    2
    
    浪涌
    
    高浪涌電流
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝
    
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    碳化硅MOS管
    
    產品概述
    
    沃爾德碳(tan)化硅(gui)mos管具(ju)有低RDS（on）高開關速度(du)，高效可靠，封裝TOLL、TO-247等
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(on)
    
    低導通電阻（RDS（on））
    
    2
    
    速度
    
    高開關速度
    
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- EMI改善
  - 吸收二極管
    
    30M-60M輻射
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德吸收二(er)極管具有較長(chang)的存儲時(shi)間和(he)較小的Irr,同時(shi)具有(you)較長的(de)平緩反向恢復特(te)性，能平緩恢復電(dian)流，應用于電(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收(shou)電(dian)路，從而使電(dian)源(yuan)產(chan)品達到更好(hao)的(de)EMI特(te)性，滿足電(dian)源(yuan)產(chan)品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性的(de)需(xu)求(qiu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI
    
    SOD-123FL封裝，降低空載損耗，對30MHZ~60MHZ的EMI輻射有改善。
    
    2
    
    提升效率
    
    10%負載時，提升轉換效率2%~3%, 綜合效率提升約0.8%
    
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  - 軟橋
    
    9K-1M傳導
    
    產品概述
    
    通過優化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間)較軟的恢復特性，大幅減(jian)少諧波振蕩的發生，從而減(jian)少或者減(jian)小(xiao)橋堆周(zhou)邊EMI抑制器件的(de)使用(yong)或者使用(yong)規格，例如X電(dian)容，共模電(dian)感，差(cha)模電(dian)感等。
    
    產品特點
    
    1
    
    1、改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    2、節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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開關橋

產品概述

開關橋是(shi)由(you)四(si)只高速(su)開(kai)關二極管作橋式連接，有四個引出(chu)(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)(chu)端(duan)的(de)“正(zheng)極”，兩只二極管(guan)正(zheng)極的連接點是全橋直流(liu)輸(shu)出端的“負極”，外用絕緣塑(su)封而成。

產品特點

1

開關橋

開關橋有極低的正向壓降與極高的開關速度，利用其極低的損耗和極快的開關速度，在電網監測、智能電表、儀器儀表等行業廣泛應用。

電路應用

開關橋是利用二極(ji)管單(dan)向導電(dian)(dian)(dian)(dian)性，把(ba)交(jiao)流電(dian)(dian)(dian)(dian)變換成直流電(dian)(dian)(dian)(dian)，通過檢(jian)測直流電(dian)(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓，從(cong)而達到監測主線電(dian)(dian)(dian)(dian)壓與電(dian)(dian)(dian)(dian)流目的。

應用領域

智能電表

儀器儀表

電網監測

產品選型

Type	Current	Voltage	Package	Application	VF @25℃	VF@125℃	IR(uA)25℃	IFSM(A)	Tj（℃）	Download
NB4148	0.3	100	SOT23-4	開關橋	1.0@10mA	0.45@1A	0.05	30	–55 to +150

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