







整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋(qiao)產品(pin)是(shi)由4顆肖(xiao)特基硅(gui)二極管橋式連接,有四個引出腳。兩只二(er)極管負(fu)極的(de)連接點(dian)是全橋直流輸(shu)出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“負(fu)極”,外用(yong)絕緣朔(shuo)料(liao)封裝而成(cheng)。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋產品(pin)是(shi)由四只(zhi)低壓(ya)降整流(liu)硅芯片作橋式連接,有四個引(yin)出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直流輸出端(duan)的“負極(ji)”,外(wai)用(yong)絕緣塑封而成。LOW VF即是正向(xiang)壓降極(ji)低的整流橋(qiao)。
逆變橋(qiao)是由(you)四(si)顆(ke)快恢復二極(ji)管整合一(yi)起(qi),即將四(si)顆(ke)芯片封裝到一(yi)個支架上作(zuo)橋(qiao)式(shi)連接,有四(si)個引(yin)出(chu)(chu)腳。兩(liang)只二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)(de)連接點是直(zhi)流輸(shu)出(chu)(chu)端的(de)(de)“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)(de)連接點是直(zhi)流輸(shu)出(chu)(chu)端的(de)(de)“負(fu)極(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳是交流輸(shu)入端,外(wai)用絕緣塑料封裝而成。
一種集(ji)(ji)成采樣功能的整流橋,即通過采集(ji)(ji)電(dian)(dian)路(lu)中的輸入電(dian)(dian)流,實(shi)現(xian)功率分配、電(dian)(dian)路(lu)保護。
開關(guan)橋(qiao)是由四只高速(su)開關二極(ji)管作橋式連接(jie),有四個引出腳。兩只二極管(guan)負(fu)極的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封而成(cheng)。
沃爾(er)德高壓肖特(te)基二極(ji)管具(ju)有(you)較低的VF值(zhi)和極低的反向(xiang)漏電流Ir,體現出良(liang)好的低溫升特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的滿足高壓輸出電(dian)源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃爾(er)德 LOW VF肖特基(ji)二極管采用(yong)先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值(zhi)和極低的(de)高(gao)溫(wen)漏電流,能更好的滿足電源產(chan)品的高效率,高可靠性(xing)的需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極管(guan)具有極低的(de)反向恢(hui)復(fu)時間Trr和極低的(de)反向恢復(fu)電荷(he)Qrr,并具有超快的開關(guan)速度,應用于(yu)硬開關(guan)條件(jian)下的PFC電(dian)路和高壓高頻電(dian)源的次級整流(liu)電(dian)路。
沃爾德(de)SGT MOS 具有(you)(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具有(you)(you)開關(guan)速度(du)快(kuai)等特(te)點(dian),能滿足產品溫(wen)升和(he)效率的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有(you)強的EAS性(xing)能等特點(dian),能滿足產品高(gao)效(xiao)和可靠的(de)要求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并具有強的(de)EAS性(xing)能和抗短路性(xing)能等特(te)點,能滿足產品高效和可(ke)靠的(de)要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用(yong)多層(ceng)外延工藝,具有(you)低RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易驅動、開(kai)關(guan)速度快(kuai)的(de)特點,使電源更容易實現(xian)高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收(shou)二極管具(ju)有較(jiao)長的(de)存儲時(shi)間和較小的(de)Irr,同時具有較長的(de)平緩(huan)(huan)反向恢復特性,能平緩(huan)(huan)恢復電(dian)(dian)流,應(ying)用于電(dian)(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)(dian)路,從而(er)使電(dian)(dian)源產品達到更好(hao)的(de)EMI特性,滿足電(dian)(dian)源產品高效率(lv)、高可靠性的(de)需求。
通過(guo)優化二極管(guan)Ta/Tb(開(kai)通時(shi)間/關(guan)斷時間)較軟的恢復特(te)性,大幅減少諧波振蕩的發生,從而減少或者減小橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件的使用或(huo)者(zhe)使用規格,例如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等(deng)。