

整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋產品是(shi)由4顆肖特基(ji)硅二極管(guan)橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只(zhi)二極管負極的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“負極(ji)(ji)”,外(wai)用(yong)絕(jue)緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產(chan)品是由四只低壓降整流硅芯片作橋式連接(jie),有四(si)個引出腳。兩(liang)只二極管負極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“正極”,兩只二(er)極管正極的連(lian)接點(dian)是全橋(qiao)直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而(er)成。LOW VF即(ji)是正向壓降極低的整流橋。
逆變(bian)橋是由四顆快恢復二極(ji)管整合一起,即將(jiang)四顆芯片封裝到一個(ge)支架上作橋式連接,有四個(ge)引出腳(jiao)。兩(liang)(liang)只(zhi)二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點是直(zhi)流(liu)輸出端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩(liang)(liang)只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是直(zhi)流(liu)輸出端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)”,另兩(liang)(liang)個(ge)引腳(jiao)是交(jiao)流(liu)輸入端(duan),外(wai)用絕(jue)緣塑料封裝而成。
一種集(ji)成(cheng)采樣功(gong)(gong)能的(de)整流橋,即通過采集(ji)電路(lu)中(zhong)的(de)輸入電流,實現功(gong)(gong)率分配、電路(lu)保護。
開(kai)關橋是(shi)由(you)四只高速(su)開關二(er)極管作(zuo)橋式連接,有(you)四(si)個引出(chu)腳。兩只二極管負(fu)極的連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點是全(quan)橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封而成。
沃(wo)爾德高壓肖(xiao)特基二極管具有較低的VF值和極低(di)的反向(xiang)漏電(dian)流Ir,體現出良(liang)好的低(di)溫升特性(xing)。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆(fu)蓋,能(neng)更(geng)好的滿足高壓(ya)輸出(chu)電源的高效率、高可(ke)靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二極(ji)管采(cai)用先進的(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)VF值和極(ji)低(di)的(de)高溫漏電流,能更好的滿足電(dian)源產品的高效率,高可(ke)靠(kao)性(xing)的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具(ju)有極(ji)低的反向恢復時間Trr和極低的反向(xiang)恢復電荷(he)Qrr,并具有超(chao)快(kuai)的開關速度,應用(yong)于硬開關條件下的PFC電路(lu)和高(gao)(gao)壓高(gao)(gao)頻電源的次級整流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具有極(ji)低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和(he)Ciss ,并具有開關速度快等特點,能滿足產品溫升和(he)效率的(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性(xing)能等特(te)點,能滿足產品高效和可靠的(de)要求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開(kai)關速度(du)快并具有強的EAS性能(neng)(neng)和抗短路性能(neng)(neng)等特點(dian),能(neng)(neng)滿足產品高效和可(ke)靠的要(yao)求。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多層外(wai)延工藝(yi),具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動(dong)、開關速度快(kuai)的特點,使(shi)電源更容易(yi)實現高效率,高可(ke)靠性。
沃(wo)爾德吸收二極管具有較長(chang)的存儲時間和較小的Irr,同時具有較長的(de)平(ping)緩反向恢復(fu)特(te)(te)性(xing)(xing),能(neng)平(ping)緩恢復(fu)電流(liu),應用于電源的(de)RCD吸(xi)收(shou)電路,從而(er)使(shi)電源產品(pin)達到更好的(de)EMI特(te)(te)性(xing)(xing),滿足電源產品(pin)高效率、高可靠(kao)性(xing)(xing)的(de)需求。
通過優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷(duan)時間)較軟的恢復特(te)性,大幅減(jian)少諧波振(zhen)蕩(dang)的發生,從(cong)而減(jian)少或者減(jian)小橋堆周邊(bian)EMI抑(yi)制器件的使用或(huo)者使用規格,例如X電容,共模電感,差模電感等。