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產品
- 整流器件類
  - 橋堆
    
    軟橋
    
    產品概述
    
    通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性，大幅減少諧波振蕩的發生，從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格，例如X電容，共模電感，差模電感等。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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    普通橋
    
    產品概述
    
    整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”，外用絕緣塑封而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    整流橋
    
    整流橋當中的整流，是通過二極管的單向導通性來完成工作；簡單點說，二極管是單向的，它是正向導通和反向截止。二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時，能使電路中的電流只按單向流動，即所謂“整流”。
    
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    肖特基橋
    
    產品概述
    
    肖特基整流橋產品是(shi)由4顆肖特基硅二極管橋式(shi)連接(jie)，有四個(ge)引出腳。兩只二極管(guan)負極的連(lian)接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)”，兩(liang)只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)全橋直流輸(shu)出端(duan)的(de)“負極(ji)”，外用(yong)絕緣朔(shuo)料封裝而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    肖特基整流橋
    
    肖特基整流橋，有更低的壓降與更快的開關速度，在高頻、低電壓、大電流整流電路中有更低的溫度表現與更好的效率提升。
    
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    低壓降橋
    
    產品概述
    
    LOW VF整流橋產品是由四只低壓降(jiang)整流硅芯片作橋(qiao)式(shi)連接，有四個引出腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接點是(shi)全(quan)橋直流(liu)輸出端的(de)“正極”，兩只(zhi)二極管正極的(de)連(lian)接(jie)點是全橋直流輸出端(duan)的(de)“負極”，外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即是正(zheng)向壓降極低的(de)整流橋。
    
    產品特點
    
    1
    
    低壓降橋
    
    所謂LOW VF整流橋是指正向壓降低于普通整流橋的正向壓降，根據熱量計算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，電壓越低，所發出的熱量越小，相對應的有功功率就越高；所以，同功率電路應用中LOW VF整流橋的效率更高，熱量更低。
    
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    逆變橋
    
    產品概述
    
    逆變橋是(shi)(shi)(shi)由四顆快恢復二(er)(er)極管整合一起，即將四顆芯片封裝(zhuang)到一個(ge)支架上作橋式連(lian)接(jie)，有四個(ge)引(yin)出(chu)腳(jiao)(jiao)。兩只二(er)(er)極管負(fu)極的連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“正極”，兩只二(er)(er)極管正極的連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“負(fu)極”，另(ling)兩個(ge)引(yin)腳(jiao)(jiao)是(shi)(shi)(shi)交流(liu)輸(shu)入端，外(wai)用絕緣塑料(liao)封裝(zhuang)而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    逆變橋
    
    逆變橋工作頻率高（10KHz-70KHz）,PCBA面積小；反向恢復時間為75ns，反向恢復時間較短, 雜散電容相對較小，所以對EMI 改善有優勢。
    
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    采樣橋
    
    產品概述
    
    一(yi)種集(ji)成(cheng)采樣功能的(de)整流橋，即通過采集(ji)電路中(zhong)的(de)輸入電流，實現功率分(fen)配、電路保護。
    
    產品特點
    
    1
    
    較低的電阻溫度系數，較寬的使用溫度范圍（480℃以下）
    
    具有較低的電阻溫度系數，溫漂小，輸出功率相對穩定.精密電阻封裝到整流橋內部，可以利用散熱片對精密電阻散熱，有效降低精密電阻溫度，減少溫升對電阻阻值的影響
    
    2
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，一致性高
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，性價比高；改善外置精密電阻安裝工藝復雜、批量生產時電阻值一致性不好、不良率高的問題，提升功率一致性、穩定性。大批量生產時一致性高。
    
    3
    
    減少干擾
    
    改善了精密電阻在線路板上跨接通過，主回路過長，導致干擾增加和采集精度偏差的問題
    
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    開關橋
    
    產品概述
    
    開關橋是由四只高(gao)速開(kai)關二(er)極管作橋式連接，有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“正極”，兩只(zhi)二極管正極的連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出端的“負(fu)極”，外(wai)用絕緣塑封(feng)而成(cheng)。
    
    產品特點
    
    1
    
    開關橋
    
    開關橋有極低的正向壓降與極高的開關速度，利用其極低的損耗和極快的開關速度，在電網監測、智能電表、儀器儀表等行業廣泛應用。
    
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  - 肖特基
    
    普通肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德肖特基二極管采用先進的封裝工藝，具有低正向壓降的特點。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產品的高效率，高可靠性的需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    低正向壓降
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    高壓肖特基
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德高壓肖特基(ji)二極管具(ju)有(you)較低的VF值(zhi)和極低的(de)反(fan)向漏(lou)電流Ir，體現出良好的(de)低溫(wen)升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋，能更好的(de)滿(man)足高(gao)(gao)壓輸出電源的高(gao)(gao)效率、高(gao)(gao)可(ke)靠性的需(xu)求(qiu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    反向漏電流
    
    極低的反向漏電流Ir
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源的需求
    
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    低壓降肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采用先進的(de)Trench工藝(yi)，具有較低(di)(di)的(de)VF值和極(ji)低(di)(di)的(de)高(gao)溫漏電流，能更(geng)好的滿足電源產品的(de)高效率，高可靠性的(de)需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    漏電流
    
    極低的高溫漏電流
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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  - 快恢復
    
    普通快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德(de)快恢(hui)復二極管采用先進的封裝工藝(yi)，電壓從100V到1700V，電流從1A到300A,反向恢復時(shi)間從16ns到500ns ,適用于PFC電路，高頻高壓電源等。
    
    產品特點
    
    1
    
    電壓分布
    
    豐富的電壓分布
    
    2
    
    封裝形式
    
    多種封裝形式，滿足各類電源需求
    
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    LOW Trr快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德LOW Trr超快恢(hui)復二極管(guan)具(ju)有極低的反向(xiang)恢(hui)復時(shi)間Trr和極低的反向恢(hui)復(fu)電荷Qrr，并具有超(chao)快的(de)開關速度(du)，應用于硬開關條件下的(de)PFC電路(lu)和(he)高壓高頻電源的次(ci)級整(zheng)流(liu)電路(lu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR和QRR
    
    極低的Trr和Qrr，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快的開關速度，減小開關損耗。
    
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    LOW VF 快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德LOW VF快恢(hui)復二極管具有低的VF值、低(di)漏電(dian)流，應用(yong)于PFC電(dian)路、高(gao)(gao)頻高(gao)(gao)壓(ya)電(dian)路、次級整流電(dian)路。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值和漏電流
    
    低VF值，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快開關速度。
    
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    共陰共陽快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德(de)共陰共陽(yang)快恢復(fu)二極管(guan)具有(you)一(yi)致性好，低VF值、低(di)Trr、低(di)漏(lou)電流的特性，應用(yong)于高(gao)頻(pin)橋式整流電路(lu)(lu)，正負壓輸(shu)出整流電路(lu)(lu)、高(gao)頻(pin)高(gao)壓大電流電路(lu)(lu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值及反向恢復時間
    
    低VF值，低反向恢復時間。
    
    2
    
    漏電流
    
    低漏電流
    
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  - 開關管
    
    全系列
    
    產品概述
    
    沃爾德開關(guan)二極管具有較快(kuai)的恢復時(shi)間和高開關(guan)速度的特性，廣(guang)泛應用于電源、音頻、視頻、無線通(tong)信、工業(ye)等(deng)領(ling)域。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    較小的Trr (反向恢復時間）,開關速度快
    
    2
    
    封裝體積
    
    封裝小，體積小
    
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- 保護器件類
  - TVS
    
    TVS二極管
    
    產品概述
    
    瞬態抑制二極管，TVS。全系列產品(pin)都(dou)有。
    
    產品特點
    
    1
    
    TVS二極管
    
    1、TVS是一種高品質的突波吸收器，以二極管（伏安特性）并聯在電路中。自然界的感應雷擊、靜電釋放、電子裝置的電流浪涌都是讓現代電子系統面臨嚴峻的考驗。在電路中產生瞬態電壓時，TVS利用雪崩原理，以P秒級的反應速度瞬間起到分流限壓的作用，從而保護負載不被損壞。
    
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  - ESD
    
    靜電抑制器
    
    產品概述
    
    抗靜電器件，ESD。針對主流(liu)競(jing)品，我(wo)司均(jun)有(you)可替代產品，ESD類我(wo)司接(jie)受(shou)定制物料。
    
    產品特點
    
    1
    
    ESD
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半導體）靜電抑制器，小型化的TVS，與TVS有著一樣的特性和工作方式。只是隨著把內部芯片面積的減少，來獲得了體積小，電容值小（電容和體積是成正比），封裝方式多樣的特點。主要應用于一些小型號的便攜設備的防靜電和抗小型脈沖群的處理。對于ESD TVS 多路防護的產品，也叫陣列產品(IC)。
    
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  - GDT
    
    GDT
    
    產品概述
    
    陶(tao)瓷(ci)氣體放電管，GDT。全系列產品都有，目前正在開(kai)發超(chao)薄型產品。
    
    產品特點
    
    1
    
    GDT
    
    GDT“陶瓷氣體放電管”是一種陶瓷封裝的、內充低壓惰性氣體的短路型保護器件，一般分二電極和三電極兩種結構。基本的工作原理是氣體放電。當極間的電場強度超過氣體的擊穿強度時，就引起間隙放電，從而限制了極間的電壓，使與放電管并聯的其它器件得到保護。
    
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  - MOV
    
    MOV
    
    產品概述
    
    氧(yang)化鋅壓敏電阻，MOV。我司只做貼片類產品(pin)SMD-MOV，以(yi)及(ji)復合功能型產品(pin)GMOV。
    
    產品特點
    
    1
    
    MOV
    
    MOV是一種以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物半導體非線性電阻原件，所謂壓敏，就是對電壓敏感，當電壓達到一定數值的時候，元件開始動作。
    
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  - TSS
    
    TSS
    
    產品概述
    
    半(ban)導體放(fang)電管，TSS。全系列產品都有。
    
    產品特點
    
    1
    
    TSS
    
    TSS是一種PNPN組件,一個無門電極的自由電壓控制的可控硅,當電壓超過它的斷態峰值電壓(或稱雪崩電壓)時，半導體放電會將瞬態電壓箝制到組件的開關電壓(或稱轉折電壓)值之內。電壓繼續增大時，半導體放電管由于負阻效應進入導通狀態，只有在當電流小于維持電流時，組件才復位并恢復到它的高阻抗狀態。
    
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- 功率器件類
  - MOS
    
    SGT MOS
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德SGT MOS 具有(you)極低(di)(di)的(de)RDs(on) 、低(di)(di)的(de)Qg和Ciss ，并具有(you)開關速度(du)快等特點，能滿足產品(pin)溫升(sheng)和效率的(de)要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值
    
    2
    
    速度
    
    開關速度快
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Planar MOS
    
    產品概述
    
    沃爾德Planar MOS 具有(you)低(di)的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強的EAS性能等特點，能滿足產(chan)品高效和可(ke)靠的要求(qiu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDs(on)
    
    低的RDs(on)和Ciss
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Trench Mos
    
    產品概述
    
    沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，開關速度快并具(ju)有強的EAS性能(neng)和(he)抗短路性能(neng)等特點，能(neng)滿足產品(pin)高效和(he)可靠的(de)要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    抗短路
    
    抗短路性能
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    SJ(超結)MOS
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德SJ（超結）MOS采用多層外延工藝，具有低RDS（on）、結電容(rong)小、Qg 小，易驅動、開關速度快的特(te)點，使電源更容(rong)易實現高(gao)效率，高(gao)可(ke)靠性(xing)。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(ON)
    
    低RDS（on）（詳細請看產品選型列表）
    
    2
    
    結電容
    
    結電容小、Qg小、易驅動
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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- 第三代半導體
  - SIC 二極管
    
    碳化硅二極管
    
    產品概述
    
    沃爾德碳化硅二(er)極管具(ju)極小(xiao)的反(fan)向恢復時間、高浪(lang)涌電流、高效可靠(kao)的特性，封裝主要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    極小的TRR
    
    2
    
    浪涌
    
    高浪涌電流
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝
    
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    碳化硅MOS管
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾(er)德碳化硅mos管(guan)具(ju)有低RDS（on）高(gao)(gao)開關速度，高(gao)(gao)效可(ke)靠(kao)，封裝TOLL、TO-247等
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(on)
    
    低導通電阻（RDS（on））
    
    2
    
    速度
    
    高開關速度
    
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- EMI改善
  - 吸收二極管
    
    30M-60M輻射
    
    產品概述
    
    沃爾德吸收二(er)極管具有較長的存儲時間和較小的Irr,同(tong)時(shi)具有較長的平(ping)緩反向恢復特(te)性(xing)，能平(ping)緩恢復電(dian)流，應用于電(dian)源(yuan)的RCD吸收(shou)電(dian)路(lu)，從而使電(dian)源(yuan)產(chan)品達到(dao)更(geng)好的EMI特(te)性(xing)，滿足電(dian)源(yuan)產(chan)品高效(xiao)率、高可靠性(xing)的需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI
    
    SOD-123FL封裝，降低空載損耗，對30MHZ~60MHZ的EMI輻射有改善。
    
    2
    
    提升效率
    
    10%負載時，提升轉換效率2%~3%, 綜合效率提升約0.8%
    
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  - 軟橋
    
    9K-1M傳導
    
    產品概述
    
    通過優化二極管Ta/Tb(開通(tong)時間(jian)/關斷時(shi)間)較軟(ruan)的恢復特性，大(da)幅減(jian)少諧(xie)波振(zhen)蕩的發生，從而(er)減(jian)少或者(zhe)減(jian)小橋(qiao)堆周邊EMI抑制(zhi)器件的使用(yong)或(huo)者使用(yong)規格，例如X電(dian)容，共(gong)模(mo)電(dian)感(gan)，差模(mo)電(dian)感(gan)等。
    
    產品特點
    
    1
    
    1、改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    2、節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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