

整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整(zheng)流橋(qiao)產品是由4顆(ke)肖(xiao)特基硅二極管(guan)橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接(jie)點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣朔料封裝而(er)成。
LOW VF整流橋(qiao)產品是由四只低(di)壓降整流(liu)硅芯(xin)片作(zuo)橋式(shi)連接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負極的連接點是(shi)全(quan)橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出端(duan)的“負極(ji)(ji)”,外用(yong)絕(jue)緣塑封而成。LOW VF即(ji)是正向壓降極低的(de)整流橋。
逆變橋(qiao)是由四(si)顆快恢(hui)復(fu)二(er)極(ji)管(guan)整合一(yi)起(qi),即將四(si)顆芯片封裝到一(yi)個支架上作橋(qiao)式連接,有四(si)個引出腳。兩(liang)(liang)只(zhi)二(er)極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)(de)連接點(dian)是直流輸出端(duan)的(de)(de)“正極(ji)”,兩(liang)(liang)只(zhi)二(er)極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)(de)連接點(dian)是直流輸出端(duan)的(de)(de)“負極(ji)”,另兩(liang)(liang)個引腳是交流輸入端(duan),外(wai)用(yong)絕緣(yuan)塑料封裝而(er)成。
一(yi)種集(ji)成采樣功(gong)能(neng)的整流橋,即通過采集(ji)電路中的輸入電流,實(shi)現(xian)功(gong)率分配(pei)、電路保(bao)護。
開關橋是由(you)四只高速開關二(er)極管作(zuo)橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的(de)“正極”,兩只二極管正極的(de)連(lian)接點是全(quan)橋直流(liu)輸出端的(de)“負極”,外用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德高(gao)壓肖特基二極管具(ju)有(you)較低的VF值和極低(di)(di)的反向漏電流Ir,體(ti)現(xian)出良(liang)好的低(di)(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿足(zu)高(gao)壓(ya)輸(shu)出電源(yuan)的高(gao)效率(lv)、高(gao)可(ke)靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二(er)極管采用(yong)先(xian)進的(de)Trench工藝,具有(you)較低的(de)VF值(zhi)和極低的(de)高(gao)溫漏(lou)電流,能更好的滿足電(dian)源(yuan)產品的高效率(lv),高可靠性的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超(chao)快恢復二極(ji)管具(ju)有極(ji)低的反向恢復時間Trr和極低的反(fan)向恢復電(dian)荷(he)Qrr,并具有超快的開(kai)關速度,應(ying)用(yong)于(yu)硬開(kai)關條件下(xia)的PFC電(dian)路和高壓高頻電(dian)源的次級整流(liu)電(dian)路。
沃爾德(de)SGT MOS 具(ju)有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有開(kai)關速度快等(deng)特點,能滿足產品溫升(sheng)和(he)效率的(de)要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具(ju)有(you)低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能等特點,能滿足產品高(gao)效和可靠的要求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具有(you)較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的(de)EAS性能(neng)和抗短路性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足(zu)產品高效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用(yong)多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)(dian)容小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特點(dian),使電(dian)(dian)源更容易實現高效(xiao)率,高可靠性。
通過優(you)化二(er)極管(guan)Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間(jian))較軟的(de)恢(hui)復特性(xing),大幅減(jian)(jian)少諧波振(zhen)蕩(dang)的(de)發生(sheng),從而減(jian)(jian)少或者減(jian)(jian)小橋堆周邊(bian)EMI抑制器件(jian)的(de)使用或者使用規(gui)格,例如X電容,共模電感(gan),差模電感(gan)等。