亞洲AV中文無碼亂人倫在線咪咕企業視頻 | 深圳市沃爾德實業有限公司

產品
- 整流器件類
  - 橋堆
    
    軟橋
    
    產品概述
    
    通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性，大幅減少諧波振蕩的發生，從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格，例如X電容，共模電感，差模電感等。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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    普通橋
    
    產品概述
    
    整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”，外用絕緣塑封而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    整流橋
    
    整流橋當中的整流，是通過二極管的單向導通性來完成工作；簡單點說，二極管是單向的，它是正向導通和反向截止。二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時，能使電路中的電流只按單向流動，即所謂“整流”。
    
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    肖特基橋
    
    產品概述
    
    肖(xiao)特基整流(liu)橋產品是由4顆肖特基硅二(er)極管橋式連接(jie)，有四個引出腳。兩只二(er)極(ji)管負極(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點是全橋直(zhi)流(liu)輸出端(duan)的(de)(de)“正(zheng)極(ji)”，兩只(zhi)二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“負極(ji)”，外用(yong)絕緣朔料封(feng)裝(zhuang)而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    肖特基整流橋
    
    肖特基整流橋，有更低的壓降與更快的開關速度，在高頻、低電壓、大電流整流電路中有更低的溫度表現與更好的效率提升。
    
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    低壓降橋
    
    產品概述
    
    LOW VF整(zheng)流(liu)橋產品是由四只低壓降整流硅(gui)芯片作橋式連(lian)接，有四個引出腳。兩只(zhi)二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點是(shi)全(quan)橋直流輸出端的(de)“正極(ji)”，兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋(qiao)直流輸出端的(de)“負極(ji)”，外用絕(jue)緣塑封而成。LOW VF即是正(zheng)向(xiang)壓降(jiang)極低的整流(liu)橋。
    
    產品特點
    
    1
    
    低壓降橋
    
    所謂LOW VF整流橋是指正向壓降低于普通整流橋的正向壓降，根據熱量計算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，電壓越低，所發出的熱量越小，相對應的有功功率就越高；所以，同功率電路應用中LOW VF整流橋的效率更高，熱量更低。
    
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    逆變橋
    
    產品概述
    
    逆變橋(qiao)是(shi)由四(si)顆快恢復(fu)二(er)極(ji)管整合一起(qi)，即將四(si)顆芯片封(feng)裝到一個支架上(shang)作橋(qiao)式連(lian)接，有(you)四(si)個引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)(zhi)二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連(lian)接點是(shi)直(zhi)流輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“正極(ji)”，兩(liang)只(zhi)(zhi)二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)連(lian)接點是(shi)直(zhi)流輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“負(fu)極(ji)”，另兩(liang)個引腳(jiao)是(shi)交流輸(shu)入端(duan)(duan)，外用絕(jue)緣塑(su)料(liao)封(feng)裝而(er)成。
    
    產品特點
    
    1
    
    逆變橋
    
    逆變橋工作頻率高（10KHz-70KHz）,PCBA面積小；反向恢復時間為75ns，反向恢復時間較短, 雜散電容相對較小，所以對EMI 改善有優勢。
    
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    采樣橋
    
    產品概述
    
    一種(zhong)集(ji)(ji)成采樣(yang)功(gong)能(neng)的整流橋，即(ji)通過(guo)采集(ji)(ji)電(dian)路中(zhong)的輸入(ru)電(dian)流，實現功(gong)率分配、電(dian)路保護。
    
    產品特點
    
    1
    
    較低的電阻溫度系數，較寬的使用溫度范圍（480℃以下）
    
    具有較低的電阻溫度系數，溫漂小，輸出功率相對穩定.精密電阻封裝到整流橋內部，可以利用散熱片對精密電阻散熱，有效降低精密電阻溫度，減少溫升對電阻阻值的影響
    
    2
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，一致性高
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，性價比高；改善外置精密電阻安裝工藝復雜、批量生產時電阻值一致性不好、不良率高的問題，提升功率一致性、穩定性。大批量生產時一致性高。
    
    3
    
    減少干擾
    
    改善了精密電阻在線路板上跨接通過，主回路過長，導致干擾增加和采集精度偏差的問題
    
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    開關橋
    
    產品概述
    
    開(kai)關橋是由四只高速(su)開關二極管作橋(qiao)式連(lian)接(jie)，有四個引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出(chu)端(duan)的“正極(ji)”，兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)”，外用(yong)絕緣塑封而成(cheng)。
    
    產品特點
    
    1
    
    開關橋
    
    開關橋有極低的正向壓降與極高的開關速度，利用其極低的損耗和極快的開關速度，在電網監測、智能電表、儀器儀表等行業廣泛應用。
    
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  - 肖特基
    
    普通肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德肖特基二極管采用先進的封裝工藝，具有低正向壓降的特點。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產品的高效率，高可靠性的需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    低正向壓降
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    高壓肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德高壓(ya)肖特(te)基二極管具有較(jiao)低的VF值和(he)極低的(de)反(fan)向(xiang)漏電(dian)流(liu)Ir，體現出(chu)良好(hao)的(de)低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流(liu)從(cong)5A到40A全覆蓋，能更(geng)好(hao)的(de)滿足高(gao)壓輸出(chu)電源的(de)高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠(kao)性(xing)的(de)需求(qiu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    反向漏電流
    
    極低的反向漏電流Ir
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源的需求
    
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    低壓降肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)(de)Trench工藝(yi)，具有較低(di)的(de)(de)VF值和極低(di)的(de)(de)高溫漏電流，能更好的滿足電源產品(pin)的(de)高(gao)效率，高(gao)可靠性的(de)需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    漏電流
    
    極低的高溫漏電流
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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  - 快恢復
    
    普通快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德快恢復二極(ji)管采用先進(jin)的封裝工藝，電壓(ya)從100V到(dao)1700V，電(dian)流從1A到(dao)300A,反(fan)向(xiang)恢復(fu)時間從16ns到(dao)500ns ,適用于PFC電(dian)路，高頻(pin)高壓電(dian)源等。
    
    產品特點
    
    1
    
    電壓分布
    
    豐富的電壓分布
    
    2
    
    封裝形式
    
    多種封裝形式，滿足各類電源需求
    
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    LOW Trr快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢復(fu)二極(ji)管具有極(ji)低的反向恢復(fu)時間Trr和極低的反向恢(hui)復電荷(he)Qrr，并(bing)具有超(chao)快的開(kai)關速(su)度，應用于(yu)硬(ying)開(kai)關條件下的PFC電(dian)路和高壓高頻電(dian)源的次級(ji)整(zheng)流電(dian)路。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR和QRR
    
    極低的Trr和Qrr，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快的開關速度，減小開關損耗。
    
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    LOW VF 快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德LOW VF快恢復二極管具(ju)有(you)低的VF值、低漏(lou)電(dian)流(liu)，應用于PFC電(dian)路(lu)、高頻(pin)高壓(ya)電(dian)路(lu)、次級整流(liu)電(dian)路(lu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值和漏電流
    
    低VF值，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快開關速度。
    
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    共陰共陽快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德共(gong)陰共(gong)陽快恢復二極(ji)管具有一致性好，低VF值、低(di)Trr、低(di)漏電(dian)(dian)流(liu)的(de)特性，應用于高(gao)(gao)頻(pin)橋(qiao)式整流(liu)電(dian)(dian)路，正負(fu)壓(ya)(ya)輸(shu)出整流(liu)電(dian)(dian)路、高(gao)(gao)頻(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)大電(dian)(dian)流(liu)電(dian)(dian)路。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值及反向恢復時間
    
    低VF值，低反向恢復時間。
    
    2
    
    漏電流
    
    低漏電流
    
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  - 開關管
    
    全系列
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德開關二極管(guan)具有較快(kuai)的恢復時間(jian)和(he)高(gao)開關速(su)度(du)的特(te)性，廣泛應用于電源、音頻、視頻、無(wu)線通信、工業等(deng)領(ling)域(yu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    較小的Trr (反向恢復時間）,開關速度快
    
    2
    
    封裝體積
    
    封裝小，體積小
    
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- 保護器件類
  - TVS
    
    TVS二極管
    
    產品概述
    
    瞬態抑制二(er)極管(guan)，TVS。全(quan)系(xi)列產品都有。
    
    產品特點
    
    1
    
    TVS二極管
    
    1、TVS是一種高品質的突波吸收器，以二極管（伏安特性）并聯在電路中。自然界的感應雷擊、靜電釋放、電子裝置的電流浪涌都是讓現代電子系統面臨嚴峻的考驗。在電路中產生瞬態電壓時，TVS利用雪崩原理，以P秒級的反應速度瞬間起到分流限壓的作用，從而保護負載不被損壞。
    
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  - ESD
    
    靜電抑制器
    
    產品概述
    
    抗(kang)靜(jing)電器(qi)件，ESD。針對主流競品，我司(si)均(jun)有可(ke)替代產品，ESD類我司(si)接(jie)受定制物料。
    
    產品特點
    
    1
    
    ESD
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半導體）靜電抑制器，小型化的TVS，與TVS有著一樣的特性和工作方式。只是隨著把內部芯片面積的減少，來獲得了體積小，電容值小（電容和體積是成正比），封裝方式多樣的特點。主要應用于一些小型號的便攜設備的防靜電和抗小型脈沖群的處理。對于ESD TVS 多路防護的產品，也叫陣列產品(IC)。
    
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  - GDT
    
    GDT
    
    產品概述
    
    陶瓷氣(qi)體(ti)放電管，GDT。全系列產品都有，目前正在(zai)開發超薄型產品。
    
    產品特點
    
    1
    
    GDT
    
    GDT“陶瓷氣體放電管”是一種陶瓷封裝的、內充低壓惰性氣體的短路型保護器件，一般分二電極和三電極兩種結構。基本的工作原理是氣體放電。當極間的電場強度超過氣體的擊穿強度時，就引起間隙放電，從而限制了極間的電壓，使與放電管并聯的其它器件得到保護。
    
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  - MOV
    
    MOV
    
    產品概述
    
    氧化鋅壓(ya)敏(min)電阻，MOV。我司只做貼片類(lei)產品SMD-MOV，以及復合功(gong)能型產品GMOV。
    
    產品特點
    
    1
    
    MOV
    
    MOV是一種以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物半導體非線性電阻原件，所謂壓敏，就是對電壓敏感，當電壓達到一定數值的時候，元件開始動作。
    
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  - TSS
    
    TSS
    
    產品概述
    
    半導體(ti)放電管，TSS。全(quan)系列產品都有。
    
    產品特點
    
    1
    
    TSS
    
    TSS是一種PNPN組件,一個無門電極的自由電壓控制的可控硅,當電壓超過它的斷態峰值電壓(或稱雪崩電壓)時，半導體放電會將瞬態電壓箝制到組件的開關電壓(或稱轉折電壓)值之內。電壓繼續增大時，半導體放電管由于負阻效應進入導通狀態，只有在當電流小于維持電流時，組件才復位并恢復到它的高阻抗狀態。
    
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- 功率器件類
  - MOS
    
    SGT MOS
    
    產品概述
    
    沃爾德SGT MOS 具有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ，并具有開關速(su)度快等特點，能(neng)滿足產品溫升和效率的要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值
    
    2
    
    速度
    
    開關速度快
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Planar MOS
    
    產品概述
    
    沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的(de)EAS性能等(deng)特點，能滿(man)足產品高效和可靠的要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDs(on)
    
    低的RDs(on)和Ciss
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    Trench Mos
    
    產品概述
    
    沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，開關(guan)速度快并具(ju)有強(qiang)的EAS性能和抗(kang)短(duan)路性能等特(te)點(dian)，能滿足產(chan)品高效和可靠的要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    抗短路
    
    抗短路性能
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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    SJ(超結)MOS
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德SJ（超(chao)結）MOS采用多層外延工藝，具有(you)低RDS（on）、結電容小、Qg 小，易驅動(dong)、開(kai)關速度快的特(te)點，使電源(yuan)更容易實現(xian)高(gao)效率，高(gao)可(ke)靠性。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(ON)
    
    低RDS（on）（詳細請看產品選型列表）
    
    2
    
    結電容
    
    結電容小、Qg小、易驅動
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
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- 第三代半導體
  - SIC 二極管
    
    碳化硅二極管
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德碳化硅(gui)二(er)極管具極小的反向恢復時(shi)間、高浪涌電流、高效可靠的特性，封裝主(zhu)要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    極小的TRR
    
    2
    
    浪涌
    
    高浪涌電流
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝
    
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    碳化硅MOS管
    
    產品概述
    
    沃爾德(de)碳化硅mos管具有低RDS（on）高開關速度，高效可(ke)靠，封(feng)裝TOLL、TO-247等(deng)
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(on)
    
    低導通電阻（RDS（on））
    
    2
    
    速度
    
    高開關速度
    
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- EMI改善
  - 吸收二極管
    
    30M-60M輻射
    
    產品概述
    
    沃爾德(de)吸(xi)收二(er)極管具有較長的存儲時間和較小的Irr,同時具有(you)較長(chang)的平緩反向(xiang)恢復(fu)特性(xing)，能平緩恢復(fu)電(dian)流(liu)，應用于(yu)電(dian)源的RCD吸收電(dian)路，從(cong)而使(shi)電(dian)源產(chan)品達(da)到更好的EMI特性(xing)，滿足(zu)電(dian)源產(chan)品高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠性(xing)的需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI
    
    SOD-123FL封裝，降低空載損耗，對30MHZ~60MHZ的EMI輻射有改善。
    
    2
    
    提升效率
    
    10%負載時，提升轉換效率2%~3%, 綜合效率提升約0.8%
    
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  - 軟橋
    
    9K-1M傳導
    
    產品概述
    
    通過優(you)化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間(jian))較軟的恢復特性，大幅減少(shao)諧波振蕩(dang)的發生，從而減少(shao)或者減小(xiao)橋堆周邊EMI抑(yi)制(zhi)器件的使用(yong)或者使用(yong)規格，例如X電(dian)(dian)容(rong)，共模電(dian)(dian)感(gan)(gan)，差模電(dian)(dian)感(gan)(gan)等。
    
    產品特點
    
    1
    
    1、改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    2、節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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