




充電器參數特寫
型(xing)號:ADP-96AW A
輸入:100-240V~50/60Hz 3A
輸出:5V3A、9V3A、15V3A、20V4.8A
充電器通過了UL認證,以及VI級能效認證。























































整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋(qiao)產品(pin)是(shi)由4顆(ke)肖特基硅二極管橋式(shi)連接(jie),有(you)四個引出腳。兩只二極管(guan)負極的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出端的“正極(ji)”,兩只(zhi)二(er)極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封裝而(er)成。
LOW VF整(zheng)流橋(qiao)產(chan)品是由四只低壓降整流(liu)硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)負(fu)極(ji)的(de)(de)連(lian)接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)(de)“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的“負極”,外用絕緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正(zheng)向(xiang)壓降極低(di)的整流橋。
逆(ni)變橋是由(you)四(si)(si)顆快恢復二(er)極(ji)(ji)管整合一起(qi),即將四(si)(si)顆芯片封(feng)裝到(dao)一個(ge)(ge)支(zhi)架上(shang)作橋式(shi)連接,有四(si)(si)個(ge)(ge)引出腳。兩只二(er)極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連接點是直流(liu)(liu)輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是直流(liu)(liu)輸出端的“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩個(ge)(ge)引腳是交流(liu)(liu)輸入端,外用(yong)絕(jue)緣塑料封(feng)裝而成。
一種集成采樣(yang)功能的整流(liu)橋,即(ji)通過采集電路中(zhong)的輸入電流(liu),實(shi)現功率分配、電路保護。
開(kai)關橋是由四只高速(su)開關(guan)二極管作橋(qiao)式(shi)連接,有(you)四個引出腳(jiao)。兩只二(er)極管負極的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸(shu)出端的(de)“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而成。
沃爾德(de)高壓肖特基二(er)極管具有較低的VF值和極低(di)的反向漏電(dian)流Ir,體現出(chu)良好(hao)的低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好(hao)的滿(man)足高(gao)(gao)壓輸(shu)出電(dian)源的高(gao)(gao)效(xiao)率、高(gao)(gao)可靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特(te)基二極管采(cai)用(yong)先進(jin)的Trench工藝,具有較低(di)的VF值和(he)極低(di)的高溫漏電流,能(neng)更好的滿足電源產品的(de)高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性的(de)需求。
沃(wo)爾(er)德LOW Trr超(chao)快恢(hui)復二極(ji)(ji)管(guan)具有(you)極(ji)(ji)低的反向恢(hui)復時間Trr和(he)極(ji)低的(de)反向恢復電荷(he)Qrr,并具有超快的(de)(de)開(kai)(kai)關速度,應(ying)用于硬開(kai)(kai)關條件下(xia)的(de)(de)PFC電路和高壓高頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有極(ji)低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開關速度快(kuai)等特點,能(neng)滿足產品溫升和效率(lv)的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能(neng)等特點(dian),能(neng)滿(man)足產品高(gao)效(xiao)和可靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并(bing)具有強的EAS性(xing)能和抗短(duan)路性(xing)能等特點,能滿(man)足產品高效和可靠的(de)要求。
沃(wo)爾(er)德(de)SJ(超(chao)結)MOS采(cai)用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅動、開(kai)關速度快的特點,使(shi)電(dian)源更容(rong)易實現高效(xiao)率,高可靠(kao)性。
沃爾德(de)碳化硅二極(ji)管具極(ji)小的(de)反向恢復(fu)時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效可靠的(de)特性,封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳化硅mos管具有低(di)RDS(on)高開關速度,高效(xiao)可靠(kao),封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸收二極管具有較長的存儲時(shi)間(jian)和較小的Irr,同時具(ju)有(you)較長的(de)平緩反向恢復特(te)性,能平緩恢復電(dian)流,應用(yong)于電(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)路,從(cong)而使電(dian)源產(chan)品達到更好的(de)EMI特(te)性,滿足電(dian)源產(chan)品高效率、高可靠性的(de)需求(qiu)。
通(tong)過優化(hua)二極管(guan)Ta/Tb(開通(tong)時(shi)間/關斷(duan)時間)較軟的(de)恢(hui)復特性,大幅減少諧波振蕩(dang)的(de)發生,從而減少或(huo)者減小橋堆周邊EMI抑制(zhi)器件的使用(yong)或(huo)者使用(yong)規格,例如(ru)X電(dian)(dian)容,共(gong)模電(dian)(dian)感(gan),差模電(dian)(dian)感(gan)等。
充電器參數特寫
型(xing)號:ADP-96AW A
輸入:100-240V~50/60Hz 3A
輸出:5V3A、9V3A、15V3A、20V4.8A
充電器通過了UL認證,以及VI級能效認證。