

整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整(zheng)流橋產品是由4顆(ke)肖特基(ji)硅二極管橋式連接,有四個(ge)引(yin)出(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋(qiao)產品是由四只低壓降整流硅芯片作橋式(shi)連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)全(quan)橋直流(liu)輸出端(duan)的(de)“正極”,兩只(zhi)二極管正極的(de)連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸(shu)出端(duan)的(de)“負(fu)極”,外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即是正(zheng)向壓(ya)降極低的(de)整流橋。
逆變橋是由四顆快恢復二(er)極(ji)管整合一(yi)起(qi),即將四顆芯片封裝(zhuang)到(dao)一(yi)個(ge)(ge)支架(jia)上(shang)作橋式(shi)連(lian)接,有四個(ge)(ge)引出(chu)腳。兩(liang)(liang)只二(er)極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點是直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的“正極(ji)”,兩(liang)(liang)只二(er)極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)”,另(ling)兩(liang)(liang)個(ge)(ge)引腳是交(jiao)流輸(shu)入端,外用絕緣塑料封裝(zhuang)而成。
一種(zhong)集成采樣功(gong)能的(de)整流橋,即(ji)通過(guo)采集電(dian)路中(zhong)的(de)輸(shu)入(ru)電(dian)流,實現功(gong)率分配、電(dian)路保護。
開關橋是由四只高速開關二(er)極管作橋式連接(jie),有(you)四(si)個引(yin)出腳。兩(liang)只二極(ji)管(guan)負極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出端(duan)的“正極”,兩只(zhi)二極管正極的連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“負極”,外用絕緣(yuan)塑封(feng)而成(cheng)。
沃爾德高壓肖特基(ji)二極(ji)管具有較低的VF值和(he)極低的反向漏電流Ir,體現(xian)出良(liang)好(hao)的低溫升特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)的滿足高(gao)(gao)壓輸出電源的高(gao)(gao)效率(lv)、高(gao)(gao)可靠(kao)性的需求。
沃(wo)爾(er)德 LOW VF肖特(te)基二極(ji)管采用先進的Trench工藝(yi),具有較低(di)的VF值和極(ji)低(di)的高溫漏(lou)電(dian)流,能更(geng)好的滿足(zu)電源產品的高(gao)(gao)效率,高(gao)(gao)可靠性(xing)的需求(qiu)。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢復(fu)(fu)二(er)極管(guan)具有極低的反向恢復(fu)(fu)時(shi)間Trr和極低的反向恢(hui)復電荷Qrr,并具有超快的開關速度,應用(yong)于硬開關條(tiao)件(jian)下的PFC電路和高壓高頻(pin)電源的次級(ji)整(zheng)流電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并(bing)具(ju)有(you)開關速度快等特點(dian),能滿(man)足(zu)產品(pin)溫升和效(xiao)率的(de)要求。
沃(wo)爾德(de)Planar MOS 具(ju)有(you)低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強(qiang)的EAS性能等特點,能滿足(zu)產品(pin)高效和可(ke)靠的要求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關(guan)速度快并具(ju)有強的EAS性能和抗短路性能等特點(dian),能滿足產(chan)品(pin)高效和可靠的(de)要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多層外延工(gong)藝(yi),具有低(di)RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特點,使(shi)電源更容易實現高效率,高可靠性(xing)。
沃爾德吸收二極(ji)管具有較長的存儲時間和(he)較小的Irr,同時具有較長的平緩反向(xiang)恢復特性,能(neng)平緩恢復電(dian)(dian)流(liu),應(ying)用于電(dian)(dian)源的RCD吸收電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源產品達到(dao)更好(hao)的EMI特性,滿足(zu)電(dian)(dian)源產品高效(xiao)率、高可靠性的需求。
通過優(you)化二(er)極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢(hui)復特性,大幅減少(shao)諧(xie)波振(zhen)蕩的發生,從而減少(shao)或者減小(xiao)橋堆周邊EMI抑制器(qi)件的(de)使用(yong)(yong)或者使用(yong)(yong)規(gui)格,例如X電(dian)容,共(gong)模電(dian)感,差模電(dian)感等(deng)。