

整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整(zheng)流橋(qiao)產品是由4顆肖特(te)基硅二(er)極管(guan)橋式連接,有四個引(yin)出腳。兩(liang)只二極管負極的連(lian)接(jie)點(dian)是全橋直(zhi)流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)接(jie)點是全橋(qiao)直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣(yuan)朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋產品是由四只低壓降整流硅(gui)芯(xin)片作橋式連(lian)接,有四(si)個引(yin)出(chu)(chu)腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)(chu)端的“正極”,兩(liang)只二極管(guan)正極的(de)連接點(dian)是全橋直(zhi)流輸出端的(de)“負(fu)極”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓(ya)降(jiang)極低(di)的整流橋。
逆變(bian)橋是(shi)由四(si)顆快(kuai)恢復二(er)極(ji)管整合一起,即將(jiang)四(si)顆芯片封(feng)裝(zhuang)到(dao)一個支架上(shang)作(zuo)橋式連(lian)接,有(you)四(si)個引出(chu)腳。兩只二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的連(lian)接點是(shi)直(zhi)流輸出(chu)端(duan)的“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)接點是(shi)直(zhi)流輸出(chu)端(duan)的“負(fu)極(ji)”,另兩個引腳是(shi)交流輸入端(duan),外用(yong)絕緣(yuan)塑料封(feng)裝(zhuang)而成。
一種(zhong)集成采樣功(gong)能的(de)整流(liu)(liu)橋(qiao),即通過采集電路中的(de)輸(shu)入電流(liu)(liu),實現(xian)功(gong)率分配、電路保(bao)護。
開關橋是由四只高速(su)開(kai)關二極管作橋式連接,有四(si)個引出(chu)腳。兩只二極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“正極”,兩(liang)只二極管正極的(de)連接點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的(de)“負(fu)極”,外用(yong)絕(jue)緣(yuan)塑封而(er)成。
沃爾德(de)高壓肖(xiao)特基二(er)極(ji)管具有較低的VF值(zhi)和(he)極低的反(fan)向漏(lou)電流(liu)Ir,體現出良好的低溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流(liu)從(cong)5A到(dao)40A全覆蓋,能更好的滿足高壓輸出電源的高效率、高可(ke)靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特(te)基二極管采用先進的(de)(de)Trench工藝,具(ju)有(you)較低(di)的(de)(de)VF值(zhi)和(he)極低(di)的(de)(de)高溫漏電(dian)流,能(neng)更好(hao)的滿足(zu)電源產品的高效率,高可靠(kao)性(xing)的需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快(kuai)恢復二極管具有極低的反向(xiang)恢復時間Trr和極低的反向恢復(fu)電(dian)荷Qrr,并具有超快(kuai)的開關(guan)(guan)速度,應用(yong)于硬開關(guan)(guan)條件下的PFC電路和(he)高壓高頻電源的次級整流(liu)電路。
沃(wo)爾(er)德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開關速度快等特點,能滿足產品(pin)溫升和效率的要(yao)求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有(you)強的EAS性能等特點(dian),能滿足產品高效和可靠的(de)要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快并具有強的EAS性能和抗短路性能等特點,能滿(man)足產(chan)品高效和可靠(kao)的要(yao)求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延(yan)工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅(qu)動、開(kai)關速度快(kuai)的特點,使(shi)電(dian)源更容(rong)易實現高效率,高可靠性。
沃爾(er)德碳化硅二極管具(ju)極小的反(fan)向恢復時(shi)間、高浪涌(yong)電流、高效可靠(kao)的特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德(de)碳化硅mos管(guan)具(ju)有低RDS(on)高開關(guan)速(su)度(du),高效可靠(kao),封(feng)裝(zhuang)TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德吸收二極管具(ju)有較長的存儲時間和較小的Irr,同(tong)時(shi)具有較長(chang)的(de)平緩(huan)反向恢復(fu)特性(xing)(xing),能平緩(huan)恢復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)路,從而使(shi)電(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)(pin)達到(dao)更好的(de)EMI特性(xing)(xing),滿足電(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)(pin)高效率、高可靠性(xing)(xing)的(de)需求。
通過優(you)化(hua)二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間(jian))較軟的恢(hui)復特性(xing),大幅減(jian)(jian)少諧波(bo)振蕩(dang)的發生,從而減(jian)(jian)少或者減(jian)(jian)小橋堆周邊EMI抑制器件(jian)的使用或者使用規格,例如X電容(rong),共模電感(gan),差模電感(gan)等。