

整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋產品是由4顆(ke)肖特基硅二極管橋式連(lian)接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的連接點是全(quan)橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣(yuan)朔(shuo)料(liao)封裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品(pin)是由四只(zhi)低(di)壓(ya)降整(zheng)流硅芯(xin)片作橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣(yuan)塑封(feng)而成。LOW VF即是正(zheng)向壓降極低的整流橋。
逆變橋是(shi)由四(si)顆(ke)快恢(hui)復二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)整合一起,即將四(si)顆(ke)芯片封(feng)裝到一個(ge)支(zhi)架(jia)上作橋式連(lian)接(jie),有四(si)個(ge)引出腳。兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)負極(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是(shi)直(zhi)流輸出端的(de)“正極(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)正極(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是(shi)直(zhi)流輸出端的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳是(shi)交流輸入端,外用絕緣塑(su)料封(feng)裝而(er)成。
一種集成采(cai)(cai)樣(yang)功(gong)能的整流橋,即通(tong)過采(cai)(cai)集電路(lu)中(zhong)的輸(shu)入電流,實現功(gong)率(lv)分配、電路(lu)保護。
開關橋是(shi)由四只高速開關二極管作橋式(shi)連接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二極管負極的連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特基二(er)極管具(ju)有較(jiao)低的VF值和極低的反向漏電(dian)流Ir,體現出(chu)良好的低溫升特(te)性。VRRM高(gao)達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿足(zu)高(gao)壓輸出電源的(de)高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管(guan)采用先進(jin)的(de)Trench工藝,具有較低(di)(di)的(de)VF值(zhi)和極低(di)(di)的(de)高溫漏電流,能更好的(de)滿足電源產品的高效率(lv),高可靠性(xing)的需求。
沃(wo)爾德(de)LOW Trr超(chao)快恢復二極管具有極低的(de)反向恢復時間Trr和極(ji)低的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有超快的開(kai)關速度(du),應用于硬開(kai)關條件(jian)下的PFC電路和高壓高頻電源的次級整(zheng)流電路。
抗(kang)靜電器件(jian),ESD。針對主流競(jing)品(pin),我(wo)司均有可替(ti)代(dai)產品(pin),ESD類我(wo)司接受定制物(wu)料(liao)。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有極(ji)低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并(bing)具有開關速度快等特點(dian),能(neng)滿足(zu)產品溫(wen)升和效率的要求(qiu)。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和(he)Ciss 并具有(you)強的(de)EAS性能等(deng)特點(dian),能滿足產品高(gao)效(xiao)和(he)可(ke)靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能(neng)和抗短路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和可(ke)靠的要(yao)求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外延工藝,具有(you)低(di)RDS(on)、結電容小(xiao)(xiao)、Qg 小(xiao)(xiao),易驅動、開(kai)關速度快的特點,使電源更容易實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃(wo)爾德吸收二極管具有(you)較長的存儲時間(jian)和較小的Irr,同時具有較長(chang)的平(ping)緩(huan)反向恢復特性(xing),能(neng)平(ping)緩(huan)恢復電流,應用于電源的RCD吸收電路,從而使電源產品(pin)(pin)達到更好的EMI特性(xing),滿(man)足電源產品(pin)(pin)高效率、高可(ke)靠(kao)性(xing)的需求。
通過優化二極管(guan)Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較軟的恢復特性,大幅減(jian)少(shao)諧波振(zhen)蕩的發生,從而減(jian)少(shao)或者(zhe)減(jian)小橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使用或者(zhe)使用規格(ge),例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。